SK海力士完成1b DRAM制程技术研发，预计今年量产

5月31日消息，韩国存储芯片大厂SK 海力士宣布，已经完成了 1b 制程技术 （第五代 10nm 等级） 研发，并将基于其技术生产的 DDR5服务器DRAM 进行“英特尔数据中心存储认证程序 ”（The Intel Data Center Certified memory program），这是英特尔第四代 Sapphire Rapids 的第四代 Xeon 可扩展数据中心处理器所采用的存储产品的兼容性认证流程。

SK 海力士表示，这次提供的 DDR5 DRAM 产品运行速度为 6.4Gbps，也是同类产品里速率最高的，与初期的测试品类相比，数据处理速度提高了 33%。而且，其采用了 HKMG （High-K Metal Gate） 制程技术，相较第四代 10nm 等级的 1α 制程技术的产品，功耗降低了 20%。

SK 海力士强调，1b 制程技术的成功研发，代表着可以向全球客户供应性能与功耗兼具的 DRAM 产品。SK 海力士希望 2023 年开始量产最先进的 1b 制程技术产品，以业界最高 DRAM 竞争力水准改善 2023 年下半年的业绩。此外，SK 海力士还打算将 1b 制程技术延伸到 LPDDR5T、HBM3E 等产品上。

事实上，近期 SK 海力士的财务状况并不好，上个月公布的 2023 财年第一季财务报告显示，因存储半导体市场持续低迷，需求疲软和产品价格下跌的状况冲击，该季营收较 2022 财年的第四季减少，且营业亏损加大。为此，SK 海力士决定以 DDR5 服务器 DRAM 和 HBM 等高性能 DRAM，加上采用 176 层堆叠 NAND Flash 的 SSD、uMCP 等产品为中心进行销售，以提升营业收入。

编辑：芯智讯-林子