英特尔3D Foveros封装产能2025年将提升四倍

8月24日消息，英特尔目前在积极投入先进制程研发的同时，在先进封装领域也是火力全开。目前英特尔在马来西亚槟城兴建最新的封装厂，以强化其2.5D/3D封装布局版图，近日更是提出了2025年时，旗下最先进的3D Foveros封装产能将较目前大增四倍，并开放给外部客户单独采用。

外界预期，英特尔结合先进制程与先进封装能量后，一体化制造实力大增，在晶圆代工领域更具竞争力，以便可以更好的与台积电、三星竞争，同时也或将对日月光、安靠等头部的半导体封测厂商带来冲击。

英特尔从2017年开始导入EMIB封装，第一代Foveros封装则于2019年推出，当时凸点间距为50微米。预计今年下半年稍晚推出的最新Meteor Lake处理器，则将利用第二代Foveros封装技术，凸点间距进一步缩小为36微米。

英特尔并未透露现阶段其3D Foveros封装总产能，仅强调除了在美国奥勒冈州与新墨西哥州之外，在未来的马来西亚槟城新厂也有相关产能建置，这三个据点的3D封装产能合计将于2025年时增为目前的四倍。

英特尔副总裁Robin Martin 于8月22日接受采访时强调，未来槟城新厂将会成为英特尔最大的3D Foveros先进封装据点。

英特尔在两年前宣布投资35亿美元扩充新墨西哥州的先进封装产能，至今仍进行中。至于马来西亚槟城新厂，英特尔表示，兴建进度符合计划。根据预计，该新厂可能于2024年稍晚或2025年完工并投入生产。

值得注意的是，除了晶圆代工与一条龙延伸到封装服务，英特尔表示，开放让客户也可以只选用其先进封装方案，目的是希望让客户可以更能拥有生产弹性。

英特尔在执行长基辛格带领下，推行IDM 2.0策略，除了增加自家晶圆厂产能，扩大晶圆代工业务，同时也希望弹性利用第三方的晶圆代工产能。

随着先进制程的持续推进，小芯片（Chiplet）与异质整合的发展趋势明确。外界认为，英特尔的2.5D/3D先进封装布局除了强化自身处理器等产品实力之外，也是其未来对客户争取更多晶圆代工服务生意的一大卖点。

相比之下，台积电、三星都积极布建先进封装技术。台积电方面，主打“3D Fabric”先进封装，包括InFo、CoWoS与SoIC方案；三星也发展I-cube、X-Cube等封装技术。

编辑：芯智讯-林子