5月26日消息，据韩国媒体The Elec报道，存储芯片大厂三星组建了一支专业团队，负责开发 4F² DRAM 储存单元结构。相较现有 6F² DRAM 储存单元结构，在不改变制程下，4F² DRAM 储存单元结构芯片面积最高可减少达 30%。

报导指出，原本的 4F Square 是一种单元结构技术，DRAM 产业早在 10 年前就尝试进行商业化的动作，但最后以失败告终。

如今，三星再组建了专业的团队，研发 4F² DRAM 储存单元结构芯片，其新结构的晶体管将根据电流流入和流出的方向，形成源极（S）、栅极（G）和漏极（D）等整套系统。

其设备结构就是在漏极（D）上方安装一个储存电荷的电容器，晶体管和排列的 WL 线和垂直排列的 BL 线接触。其中 WL 连接到栅极（G），负责电晶体的开与关。而 BL 连接到源极（S），则是负责读取和写入数据。

编辑：芯智讯-林子