12月21日消息，存储芯片大厂三星电子今天宣布推出全球首款传输速率高达 7.2 Gbps 的 12 纳米级 DDR5 DRAM内存芯片，并且该芯片已经完成了与AMD处理器兼容性的产品评估。

三星表示，技术突破是藉使用新高介电（high-k）材料，以增加电池电容，并进一步改善关键电路特性专利设计技术达成。结合先进的多层极紫外 (EUV) 光刻技术，新型 DRAM 具有业界最高的芯片密度，可将晶圆生产率提高 20%。

利用最新的 DDR5 标准，三星的 12 纳米级 DRAM 将有助于解锁高达7.2 Gbps 的速度。这相当于在一秒钟内处理两部 30 GB 的 UHD 电影。新 DRAM 的超高速率与更高的能效相匹配。12 纳米级 DRAM 的功耗比以前的 DRAM 低 23%，将成为追求更环保运营的全球 IT 公司的理想解决方案。

 

三星电子DRAM 产品与技术执行副总裁 Jooyoung Lee 表示：“我们的 12 纳米级DRAM 将成为推动 DDR5 DRAM 在市场范围内采用的关键推动力。” “凭借卓越的性能和能效，我们希望新的 DRAM 能够成为下一代计算、数据中心和人工智能驱动系统等领域可持续运营的基础。”

AMD 高级副总裁、企业研究员兼客户、计算和图形首席技术官 Joe Macri表示：“创新通常需要与行业合作伙伴密切合作，以推动技术的发展。”“我们很高兴再次与三星合作，特别是推出在‘Zen’平台上经过优化和验证的 DDR5 内存产品。”

三星表示，新的DRAM芯片将于2023年开始大规模生产，并计划将其扩展到更广泛的细分市场。

编辑：芯智讯-浪客剑