爱仕特与汉磊集团达成SiC领域多项合作,将共同开发8英寸SiC MOS技术

3月15日,台湾汉磊集团董事长徐建华到访爱仕特进行交流。双方在以下方面达成重要合作,基于双方2022年已签署的LTA协议,汉磊将重点考虑满足爱仕特的代工产能需求;为1700V和3300V SiC MOS的量产准备;共同合作开发SiC MOS trench工艺技术;共同合作开发SiC MOS 8英寸工艺技术。

交流中,徐建华介绍了汉磊集团SiC MOS现有的代工产能和新技术研发状况,扩产的规划和详细进展,后续重点发展车规级芯片代工(长期为英飞凌车规级MOS提供代工服务)。

爱仕特方面,展示了公司自主研发并生产的全SiC MOS模块,全部采用汉磊代工生产的1200V 17毫欧SiC MOS芯片,也是国内率先上车使用的自主研发的SiC MOS芯片。

资料显示,汉磊科技成立于1985年,是全球第一家Linear Bipolar IC专业代工厂,具备化合物半导体氮化镓 (GaN) 及碳化硅 (SiC)专业代工能力,拥有1座 4/5英寸晶圆厂、2座 6英寸晶圆厂。其中,4英寸月产能为1000 pcs、5英寸月产能为8000 pcs,6英寸月产能分别为17000 pcs和33000 pcs。

爱仕特主要从事第三代半导体碳化硅大功率电力电子芯片与模块,以及相关系统方案的开发。产品涵盖电压650V-3300V、电流5A-150A的SiC MOS芯片,高功率低耗损的SiC MOS模块,以及基于SiC MOS模块的整机应用系统方案,各项性能指标达到国际水平,提供各类规格参数的SiC MOS定制化服务。

目前,爱仕特采用6英寸技术已量产20余款 650V-3300V 全系列 SiC MOSFET 产品,并建立起车规级的 SiC MOS 模块工厂。

据悉,爱仕特团队与台湾汉磊有着长达十余年的合作历史,双方团队深入合作,共同研发,配合默契,创造出多项行业领先奇迹:  2020年爱仕特SiC MOS六英寸工艺量产;  2021年爱仕特SiC MOS 1200V 17毫欧芯片量产,1200V 80毫欧芯片良率高达95%;  2022年爱仕特SiC MOS通过AEC-Q101认证。

编辑:芯智讯-林子

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