5月16日,爱思开海力士·英特尔DMTM半导体(大连)有限公司非易失性存储器项目在大连金普新区举行开工仪式。该项目将建设一座新的晶圆工厂,从事非易失性存储器3D NAND芯片产品的生产。
5月17日消息,近日西部数据宣布,与铠侠联合开发的BiCS NAND闪存将进入第六代,堆叠层数达到162层,今年即投入量产。
近几年来,随着国产存储芯片厂商长江存储在3D NAND Flash闪存领域的大获成功,也开始不断进行产业链延伸,2020年8月就推出了自有品牌——致态(致钛)SSD,现在长江存储又即将推出自研的SSD主控芯片。
近日,存储芯片大厂美光(Micron)发布了业界首个 232 层堆栈的 3D NAND Flash芯片,并计划将这款 232 层堆栈 3D NAND Flash芯片应用于包括固态硬盘等产品上,预计在 2022 年底左右开始量产。
4月下旬,彭博社就曾爆料称,闪存控制芯片厂商慧荣科技正与顾问业者合作,与潜在收购者进行洽谈有关出售自家股票的可能性,但是具体的买家并不清楚。而最新的消息显示,据知情人士透露,已经与慧荣接洽并考虑收购的厂商包括MaxLinear(迈凌)和联发科。
5月4日消息,据路透社、MarketWatch等外媒报导,西部数据(Western Digital Corp. ,WDC)的股东Elliott Investment Management 于当地时间3日呼吁,西部数据应该将闪存(NAND Flash)业务独立出来,并提议投资10亿美元协助出售或进行分拆事宜,受该消息影响,西部数据股价大涨。
4月25日消息,据彭博社报导,有消息人士透露,闪存控制芯片厂商慧荣科技正与顾问业者合作,与潜在收购者进行洽谈有关出售自家股票的可能性。由于谈判是私下进行,消息人士希望匿名。报道称,目前慧荣科技还没做出最终决定,最后仍可能选择反对出售。
4月2日消息,据韩国媒体BusinessKorea报导,近日,三星电子位于中国西安的第二座NAND Flash闪存工厂已完成扩建,并开始全面生产。
3月3日消息,据日经新闻报道,上个月因材料污染而停产的铠侠、西数合资的两座闪存工厂已经在周三恢复运营。
2月28日消息,前不久西数、铠侠位于日本的闪存工厂遭遇材料污染事故,导致大量闪存报废,之前的预估是6.5EB容量的闪存受影响,不过现在来看损失远超于此,闪存芯片最快4月份就要缺货了。
2022年2月22日,业界领先的半导体器件供应商兆易创新GigaDevice(股票代码 603986)宣布,旗下全国产化38nm SPI NAND Flash——GD5F全系列已通过AEC-Q100车规级认证。该系列包含GD5F1GQ5/GD5F2GQ5/GD5F4GQ6产品,覆盖1Gb~4Gb容量,从设计研发、生产制造到封装测试所有环节,均采用国内供应链,极大程度上填补了国产大容量车用存储器的空白,全面进入汽车应用领域,并且,兆易创新拥有强大的本地化支持和快速的客户响应能力,加速助力汽车应用的国产化。
2月22日消息,根据TrendForce集邦咨询调查显示,2021年第四季NAND Flash位元出货量季成长仅3.3%,较第三季近10%明显收敛;平均销售单价则下跌近5%,整体产业营收达185亿美元,季减2.1%。主因为各项产品采购需求下降,市场转向供过于求,导致合约价开始转跌。