标签: NAND Flash

三星NAND晶圆投片量趋于保守,产能利用率维持在60%以下

图片
4月17日消息,据韩国媒体《朝鲜日报》报道,三星电子今年一季度在韩国平泽和中国西安NAND Flash闪存生产线的晶圆投片量,相较上一季将提升了约30%。不过,三星方面对进一步的增产仍然保持谨慎态度,希望避免影响到NAND Flash的价格涨势。

三星将于本月量产290层NAND,明年还将推出430层NAND

4月12日消息,据韩国媒体据Kedglobal报道,全球最大的存储芯片制造商三星电子公司将于本月晚些时候开始批量生产 290 层第九代垂直 (V9) NAND 芯片,以引领行业向高堆叠高密度闪存过渡的竞争对手。另据业内消息人士于本周四表示,随着人工智能时代对高性能和大型存储设备的需求增长,三星电子还计划明年推出 430 层 NAND 芯片。

2024年二季度NAND Flash合约价将上涨18%

3月29日消息,根据TrendForce集邦咨询最新发布的报告显示,除了铠侠(Kioxia)和西部数据(WDC)自今年第一季起提升产能利用率外,其它供应商大致维持低投产策略。尽管第二季NAND Flash采购量较第一季小幅下滑,但整体市场氛围持续受供应商库存降低,以及减产效应影响,预估第二季NAND Flash合约价将强势上涨约13~18%。

铠侠及西部数据产能利用率已提升至90%

铠侠及西部数据产能利用率已提升至90%
3月19日消息,据市场研究机构TrendForce的研究显示,在目前NAND Flash涨价将持续至第二季的预期下,部分供应商为了减少亏损、降低成本,并寄望于今年重回获利,已计划提升产能。今年3月起,铠侠/西部数据已率先将产能利用率恢复至近90%,不过其余业者均未明显增加投产规模。