Mavell裁撤台湾闪存控制器研发团队，200人被裁！
11月17日消息，据业内爆料称，受NAND Flash市场长期疲软的影响，芯片设计厂商Marvell近期已经对其位于中国台湾的SSD闪存控制器研发团队进行了裁撤，裁员人数高达200人。
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长江存储“亮剑”：在美起诉美光侵犯其8项3D NAND专利！
11月11日消息，芯智讯通过美国加州北区地方法院最新公布的信息了解到，中国3D NAND闪存制造商——长江存储科技有限责任公司（以下简称“长江存储”）已于11月9日在美国加州北区地方法院对美国美光科技公司（MICRON）和美光消费类产品事业部（MICRON CONSUMER PRODUCTS GROUP, LLC）（以下统称“美光”）提起诉讼，指控美光侵犯了其8项与3D NAND相关的美国专利。
密码保护：传小米14有采用国产232层NAND Flash
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时创意完成超3.4亿元B轮战略融资，小米领投
传三星将逐季对NAND涨价20%，累计涨幅或超70%！
11月2日消息，据韩国媒体Pulse引述半导体产业多位消息人士谈话指出，三星将在本季度对NAND Flash芯片报价上调10%至20%之后，还将会在明年一季度和二季度再逐季涨价20%，涨价幅度远超乎业界预期。如果三星真的按照这个计划来涨价的华为，明年三季度调涨后的价格将会比本季度未涨价之前上涨超70%。
江波龙三季度营收28.72亿元，同比增长66.62%
10月26日晚间，存储器厂商江波龙电子公布了2023年三季报，营收同比大涨，净利润依然亏损，但亏损额环比收窄。
SK海力士三季度净亏损2.1847万亿韩元！反对铠侠和西部数据合并！
10月26日，韩国存储芯片大厂SK海力士今日发布了截至2023年9月30日的2023财年第三季度财务报告。
获“无限期豁免”后，三星西安工厂将升级236层NAND技术！
10月22日消息，据外媒体报道，存储芯片大厂三星在获得美国政府对其在中国的工厂的“无限期豁免”之后，使得三星在中国的工厂将无需特别许可申请，就可进口美国芯片设备来进行升级或扩产的动作。
三星证实明年将生产300层以上的NAND Flash
10月19日消息，据外媒Tomshardware报道，韩国存储芯片大厂三星公布了V-NAND（即3D NAND）发展计划，证实将在2024年生产超过300层的第九代V-NAND芯片。
供应商扩大减产，四季度NAND Flash合约价预计环比上涨8~13%
10月16日消息，据市场研究机构TrendForce最新发布的研究报告显示，由于供应商严格控制产出，NAND Flash第四季合约价全面起涨，涨幅约8~13%。展望2024年，除非原厂仍能维持减产策略，且需要留意服务器领域对Enterprise SSD需求是否回温，否则在缺乏需求做为支撑的前提下，NAND Flash要延续涨势将有难度。
传铠侠、西部数据本月将达成合并协议！SK海力士反对？
10月16日消息，据共同通信、日经新闻、朝日新闻等多家日本媒体报道称，NAND Flash大厂铠侠（Kioxia）和西部数据（Western Digital）之间的合并协商已进入最终阶段，有望在10月内达成合并协议，合并后的公司将在美国纳斯达克上市，新公司的董事会将由铠侠掌控过半数席位。但是，因为对铠侠进行间接出资的韩国SK海力士（SK Hynix）的反对，因此能否在本月内达成协议仍有变数。
存储芯片需求持续疲软，三星三季度利润或将继续大跌80%
10月11日消息，据路透社报导，受到全球经济不景气、通货膨胀、消费电子市场需求疲软等众多因素的持续影响，导致存储芯片持续供过于求，价格也是一路下跌，头部的存储芯片厂商业绩均出现了巨额的亏损。作为全球最大的存储芯片厂商，三星半导体业务在2023年一季度和二季度巨亏之后，预计三季度仍将巨亏3-4万亿韩元，拖累三星整体获利同比继续大跌80%。
