三井化学将量产EUV光罩保护膜，或将采用碳纳米管材料
6月18日消息，日本化工大厂三井化学日前宣布，将开始量产EUV光罩保护膜（pellicles），可支持ASML将推出的下一代拥有超过600W光源功率的EUV光刻机。为此，三井化学计划在日本山口县岩国大竹工厂内设置生产线，计划年产能为5000张，生产线预计于2025年12月完工。
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标签： EUV光刻机
可支持2埃米量产！ASML最新路线图曝光：2030年推出Hyper NA EUV！
近年来，随着半导体尖端制程工艺越来越逼近物理极限，荷兰光刻机大厂ASML生产的EUV光刻机已经成为了继续推动晶体管微缩的关键设备，而当制程工艺进入2nm以下的埃米时代，可能就需要用到售价高达3.5亿欧元的High NA EUV光刻机。在2023年底，ASML已经开始向英特尔交付了首套High NA EUV光刻机，英特尔也于上个月完成了组装。虽然，High NA EUV光刻机刚开始出货，但是ASML已经在加紧研发新一代的Hyper-NA EUV光刻机，为其寻找合适的解决方案。
ASML：EUV技术领域不会面临来自中国公司的竞争！
6月6日消息，据路透社报道，ASML首席财务官Roger Dassen近日曾在 Jefferies证券主持的投资者电话会议上表示，ASML与台积电的商业谈判即将结束，预计在第二季度或第三季度开始获得“大量” 2nm芯片制造相关设备订单。同时，Jefferies报告称台积电已经订购了High NA EUV光刻机。
ASML携手Imec建联合实验室，供客户测试最新High NA EUV光刻机
6月3日，全球光刻机龙头大厂ASML宣布，已与比利时微电子研究中心（Imec）合作，在荷兰Veldhoven建立了专为High NA EUV光刻机的测试实验室。
ASML High NA EUV创下新纪录：晶圆制造速度提升150%，可打印8nm线宽
5月30日消息，光刻机大厂ASML在imec（比利时微电子研究中心）的ITF World 2024会议上宣布，其首款High-NA EUV光刻机已创下新的晶圆制造速度记录，超过了两个月前创下的记录。
台积电或将较原计划提前采用High NA EUV光刻机
5月28日消息，根据wccftech的报道，虽然此前台积电公开表示其路线图上的最尖端制程A16仍将不会采用High NA EUV光刻机，但是最新的消息显示，台积电有可能会修正其既定计划，提前导入High NA EUV光刻机进行试验和学习。
英特尔完成首个商用High NA EUV光刻机组装，为Intel 14A工艺开发做好准备
当地时间4月18日，英特尔公司宣布在俄勒冈州希尔斯伯勒的研发基地达成了先进半导体制造领域的一个重要里程碑，完成了业界首个商用High NA（高数值孔径）极紫外（EUV）光刻机的组装。
ASML一季度营收52.9亿欧元，同比下降21%！净系统营收中国大陆占比仍高达49%！
4月17日，光刻机大厂ASML今日发布了2024年第一季度财报。2024年第一季度，ASML实现净销售额52.90亿欧元，同比下降21%，处于预测营收区间的中间值；毛利率为51.0%，高于此前预计的48%至49%；净利润达12.24亿欧元，同比下降38%。新增订单金额为 36 亿欧元，其中6.56 亿欧元订单来自EUV。
ASML NXE:3800E导入全新工件台运动系统，效率提升22%
3月28日消息，据荷兰媒体Bits & Chips报导，光刻机大厂ASML确认，其新推出的第三代的标准型（0.33 NA）EUV光刻机NXE:3800E导入部分High-NA EUV技术，工作效率提升。
ASML第三代标准型EUV光刻机NXE:3800E出货，每套价格约1.8亿美元
3月19日消息，据外媒报导，光刻机大厂ASML开始对外交货其第三代标准型极紫外（EUV）光刻机，新设备型号为Twinscan NXE:3800E，0.33数值孔径透镜，可以支持几年内的3nm及2nm芯片制造。
为降低DRAM制造成本，传美光将率先采用佳能纳米压印设备
据外媒报道称，美光近日在一场演讲当中介绍了如何将纳米压印技术用于DRAM生产的细节，这似乎也预示着美光将会率先采用佳能的NIL设备用于DRAM芯片的生产，以便进一步降低DRAM的制造成本。
High NA EUV主要部件已经启动，达成“第一道光”里程碑！
2月29日消息，据外媒Tomshardware报导，ASML与英特尔于本周宣布达成了High NA EUV的重要里程碑。ASML已向英特尔交付的最先进High NA EUV光刻机Twinscan EXE:5000的主要部件已经启动，即首度打开光源并使光线到达晶圆上的抗蚀层，并开始运作，表示光源和反射镜已正确对准。这是High-NA EUV光刻机启动过程中的关键一步，尽管目前尚未达到峰值性能。