业界 AI引爆ASML订单:单季新增132亿欧元,还有388亿欧元未交付! 2026年1月28日,光刻机巨头阿斯麦(ASML)正式发布了2025年第四季度及全年财报,不仅2025年营收创下历史新高,2025年四季度新增订单132亿欧元创下历史新高,2025年未交付订单更是高达388亿欧元,2026年一季度的业绩指引也优于预期,推动ASML盘后股价一度大涨近10%2026年1月28日
业界 分析师大幅上调业绩预期,ASML股价大涨超8% 1月5日消息,由于非常看好DRAM制造商及台积电对EUV(极紫外)光刻机的需求,香港券商Aletheia Capital分析师Warren Lau将对光刻机大厂ASML投资评等由卖出调升至买进,并将其目标价由750美元翻倍上调调升至1,500美元。2026年1月5日
业界 imec展示了使用EUV光刻技术首次制造晶圆级固态纳米孔 近日,比利时微电子研究中心(imec)在2025年度IEEE国际电子器件会议(IEDM 2025)上宣布,首次利用ASML最先进的极紫外光(EUV)设备,成功实现了固态纳米孔的晶圆级制造。由于固态纳米孔正在成为分子传感的强大工具,但尚未商业化。这种概念验证是实现其成本效益(大规模)生产的关键一步。2025年12月22日
业界 AI基建狂潮与存储超级周期之下,ASML护城河愈发坚挺 12月12日消息,光刻机大厂ASML CEO Christophe Fouquet(富凯)近日在荷兰Veldhoven总部接受彭博社专访。2025年12月13日
业界 美国商务部1.5亿美元注资xLight,加速EUV-FEL光源研发 当地时间12月1日,英特尔前CEO帕特·基辛格领导的极紫外光(EUV)光源系统初创公司xLight宣布,已与美国商务部签署意向书(LOI),将根据《芯片与科学法案》获得1.5亿美元的联邦激励资金。这是特朗普政府芯片研发办公室(CRDO)的首笔拨款,表明下一代光刻技术是特朗普政府重振美国半导体制造业的首要任务。此举可能将使得美国政府成为xLight最大股东。2025年12月2日
业界 佳能力推的纳米压印技术为何难以替代ASML EUV光刻机 在半导体制造的最前线,光刻技术一直是决定芯片性能与制程节点演进的关键瓶颈。荷兰半导体设备大厂ASML)凭借深紫外光(DUV)与极紫外光(EUV)光刻机,建立起几乎无可撼动的市场地位。然而,日本光学大厂佳能(Canon)正尝试以另一条路径突围,那就是纳米压印(Nanoimprint Lithography,NIL)。这项被视为“非光学”的新型图案转印技术,正被佳能定位为下一代芯片制程的潜在颠覆者。2025年11月5日
业界, 深度 挑战ASML!这家美企研发X射线光刻机,要把芯片制造成本降低90%! 当地时间10月28日,美国新创光刻设备厂商Substrate宣布,他们已开发出一款全新的光刻机,有能力与全球光刻机龙头大厂——荷兰ASML最先进的每台售价接近4亿美元的High NA EUV光刻机竞争。2025年10月30日
业界 台积电自研EUV光罩保护膜,推迟导入High-NA EUV光刻机 10月22日消息,光罩大厂Tekscend Photomask(科盛德光罩)近日于日本东京证交所挂牌上市,募资规模达1,566亿元日元。而随着Tekscend Photomask的上市,象征着半导体产业前进至埃米制程,扮演最前端制程的光罩重要性大大增加。2025年10月23日
业界 ASML三季度财报:中国大陆净系统销售占比42%,明年将回落! 10月15日,光刻机大厂ASML发布了2025年第三季度财报。根据财报显示,2025年第三季度,ASML实现净销售额75.2亿欧元,略低于市场预期的77.1亿欧元;毛利率为51.6%,高于市场预期的51.4%;净利润达21亿欧元,也优与市场预期。2025年10月15日
业界 俄罗斯光刻机路线图曝光:2036年底前完成EUV光刻机研发! 9月28日消息,俄罗斯计算机与数据科学博士Dmitrii Kuznetsov近日通过X平台曝光了俄罗斯最新的光刻机研发路线图,显示俄罗斯最快将在2026年完成65-40nm分辨率的光刻机的研发,2032年前完成28nm分辨率的光刻机的研发,并最终在2036年前完成可以生产10nm以下先进制程的全新极紫外线光(EUV)光刻机的研发。2025年9月28日
业界 为加速Intel 14A研发?传英特尔追加ASML High NA EUV光刻机订单 9月25日消息,最新的传闻显示,英特尔近期向ASML追加了High NA EUV光刻机的订单,订购数量从原来的一台增加至两台,突显英特尔正在增加对于Intel 14A制程的资本支出。2025年9月25日
手机数码 高盛:中国光刻机仍停留在65纳米,落后ASML约20年! 9月2日消息,据外资投行高盛最新发布的研究报告称,虽然中国近年来在半导体领域发展迅速,但是在半导体制造关键环节的光刻机研发上仍存在瓶颈,而中国国产光刻机目前仍停留在65纳米,至少落后ASML约20年的时间。2025年9月2日