台积电自研EUV光罩保护膜，推迟导入High-NA EUV光刻机

10月22日消息，光罩大厂Tekscend Photomask（科盛德光罩）近日于日本东京证交所挂牌上市，募资规模达1,566亿元日元。而随着Tekscend Photomask的上市，象征着半导体产业前进至埃米制程，扮演最前端制程的光罩重要性大大增加。

供应链指出，光罩好比芯片制作的底片，光罩受污染会导致无法提升最终良率。因此，台积电自研光罩保护膜（Pellicle），主要因为2nm以下光罩开发成本昂贵，制程须加上防止灰尘与颗粒的护膜，做为关键防护作用。显示台积电维持采购标准EUV光刻机生产A14、A10制程。

Tekscend Photomask前身为日本凸版印刷（Toppan Holdings）旗下公司，IPO上市规模为今年日本第二大，核心业务包括90至1nm制程节点的半导体光罩，包含EUV、OPC（相位移光罩技术）、PSM（光学近接修正光罩技术）。

晶圆代工龙头过往大多采用无保护膜的EUV光罩，以提高透光性，但进入2nm及更先进制程，需要EUV曝光的次数将大大增加，为增加光罩使用寿命及降低先进制程资本密集度等，台积电开始投入自研EUV光罩保护膜，提升EUV设备的曝光性能及生产效率。

此前台积电已经宣布，将不会在A16/A14制程当中导入价格高达3.7亿美元的High NA EUV光刻机。业界分析，EUV光刻工艺的持续优化，有助于埃米程继续采用标准EUV光刻机，台积电延后导入High-NA EUV光刻机，可以直接降低折旧压力。

光罩保护膜用于防尘，有助提升EUV生产效率。不过，膜厚设计将对微影制程的曝光波长造成影响，因此透光度及材料选择将至关重要。据悉，现阶段不管是相关镀膜材料及设备均由国外大厂供应，而台厂当中，天虹则从光罩护膜检测设备切入。因此，相关设备、耗材等供应链也有望迎来新契机。

随着光罩外包比重将提高，其中Tekscend的EUV光罩营收占比目标，将从2024年之35%提升至2028年的55%。相比之下，台企台湾光罩将锁定成熟制程，将有外溢效果。

此外，光罩盒提供光罩运输与储存时安全防护、避免静电损害，台企家登精密也有望因此受益。

编辑：芯智讯-林子