台积电或将较原计划提前采用High NA EUV光刻机

5月28日消息，根据wccftech的报道，虽然此前台积电公开表示其路线图上的最尖端制程A16仍将不会采用High NA EUV光刻机，但是最新的消息显示，台积电有可能会修正其既定计划，提前导入High NA EUV光刻机进行试验和学习。

为了在先进制程技术上重回领先地位，英特尔已经率先斥巨资拿下了ASML的首批High NA EUV光刻机，预计先在即量产的Intel 18A制程节点上进行验证和学习，然后再将High NA EUV光刻机应用于Intel 14A制程的量产。

相比之下，台积电业务开发资深副总经理张晓强曾公开表示，虽然对High NA EUV能力印象深刻，但设备价格超过 3.5 亿欧元（3.78 亿美元）。目前的标准型EUV光刻机，仍可以支持台积电尖端制程的生产到2026年，其最新曝光的尖端制程A16也将会继续采用标准型EUV光刻机来进行生产。

不过，据《韩国商报》报道，在5月26日的台积电“2024年技术论坛台北站”的活动上，台积电总裁魏哲家罕见没有参加，原因是其秘密访问了ASML位于荷兰的总部。ASML CEO Christopher Fuke和其激光光源设备供应商TRUMPF执行长Nicola Leibinger-Kammüller近日在社群媒体上贴文中披露了魏哲家到ASML拜访。

这也使得市场传出消息称，在英特尔拿下首批几套的High NA EUV曝光机之后，魏哲家这次的密访动作就是表达了也希望能获得该新设备的立场。

报道指出，虽然台积电预计在A16制程技术后的产品才考虑采用High NA EUV光刻机，但是魏哲家密访ASML总部的动作引发了大家的议论，台积电有可能会修正其原定的计划，提前采用High NA EUV光刻机。不过，即使台积电获得High NA EUV光刻机，也不能立刻用到其最新的制程上，需要提前对新设备进行各种试验与学习。

编辑：芯智讯-浪客剑