标签： EUV光刻机

成本难题可解？ASML：Hyper NA EUV光刻机有望2030年商用！

继不久前对外公开展示了面向2nm以下尖端制程制造的High NA EUV光刻机之后，近日，AMSL在其2023年度报告当中还披露了其未来更为先进的Hyper-NA EUV技术的进展，并预计Hyper-NA EUV光刻机可能将会在2030年之际开始商用，为未来更尖端的芯片生产技术提供助力。
关于High NA EUV光刻，你应该了解的5件事

关于High NA EUV光刻，你应该了解的5件事

经过十年的研发，ASML 于 2023 年 12 月正式向英特尔交付了首个High-NA（高数值孔径）EUV 光刻系统——TWINSCAN EXE:5000的首批模块， 代表着尖端芯片制造向前迈出了重要一步。
佳能：纳米压印设备可以生产2nm芯片！

佳能：通过改进光罩，纳米压印设备可以生产2nm芯片！

12月26日消息，日本光刻机大厂佳能（Canon）在今年10月13日宣布推出可以制造尖端芯片的纳米压印（Nanoprinted lithography，NIL）设备FPA-1200NZ2C之后，佳能首席执行官御手洗富士夫近日在接受采访时再度表示，该公司新的纳米压印技术将为小型半导体制造商生产先进芯片开辟一条道路，使得生产先进芯片的技术不再只有少数大型半导体制造商所独享。

ASML将与三星共同投资54.5亿元在韩国建研发中心

12月13日消息，光刻机大厂ASML宣布，已与韩国三星电子签署备忘录，将共同投资1万亿韩元（约合人民币54.5元）在韩国建立研究中心，并将利用下一代极紫外（EUV）光刻机研究先进半导体制程技术。另外，ASML也宣布与SK海力士签署ESG备忘录，双方在包括环境、社会和公司治理项目展开合作。
斥资100亿美元！纽约州携手IBM/美光/应用材料/东京电子建High-NA EUV研发中心

斥资100亿美元！纽约州携手IBM/美光/应用材料/东京电子建High-NA EUV研发中心

12月13日消息，当地时间11日，美国纽约州长Kathy Hochul宣布，与包括IBM、美光、应用材料（Applied Materials）、东京电子（Tokyo Electron）等半导体大厂达成一项合作协议，预计将投资100亿美元在纽约州Albany NanoTech Complex（奥尔巴尼纳米技术综合体）兴建下一代High-NA EUV半导体研发中心，以支持世界上最复杂、最强大的半导体的研发。