长江存储被制裁一年后，三星、SK海力士宣布3D NAND将迈入300层！
2022年，美光、SK海力士、三星等相继量产了232层3D NAND Flash，但是在美方的制裁之下，长存128层及以上NAND Flash的供应链受到严重阻碍。在此背景之下，这些国际大厂纷纷加速迈向300层，希望能主导未来3D NAND Flash的技术路线。
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密码保护：YMTC 232层3D NAND拆解：采用了多项先进技术，密度高达15.47Gb/mm2
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扩产受阻！传长江存储大砍设备采购订单：北方华创遭砍单70%！
2月12日消息，据外媒报道，中国大陆NAND Flash大厂长江存储近几个月大幅削减半导体生产设备订单，其中，对于国产半导体设备大厂北方华创的采购订单就遭暴砍了70%。这也反映了长江存储的扩产计划受到了阻碍。
长存/三星/SK海力士/美光最新3D NAND芯片对比：谁的密度更高？
目前，多家存储芯片厂商都已经量产了232层的NAND Flash芯片，近日，芯片分析机构TechInsights对长存（YMTC）、三星、SK海力士和美光最新的NAND Flash闪存芯片进行了比较，主要对比了芯片尺寸、位元密度、有源层、字线间距等因素。
三星宣布量产236层3D NAND闪存芯片，PCIe 5 SSD速度可超12GB/s
11 月 7 日消息，三星电子今日宣布量产236层 3D NAND 闪存芯片，这是三星产品中具有最高存储密度的1Tb (128GB) 三比特单元（TLC）的第8代V-NAND。
传长江存储发生人士变动：原CEO杨士宁升任常务副董，执行董事长陈南翔兼任CEO
9月30日消息，据业内传闻称，国内唯一的3D NAND Flash闪存制造厂商长江存储近日发生高层人事变动，原CEO杨士宁升任为常务副董，目前CEO一职由执行董事长陈南翔兼任。
长江存储将为苹果iPhone 14供应NAND闪存芯片
9月7日消息，据韩国媒体businesskorea报道，苹果公司已经将中国存储芯片厂商长江存储（YMTC）加入到了其将于9月7日发布的iPhone 14的NAND Flash闪存供应商名单中。
SK海力士发布全球首款238层闪存芯片，明年上半年量产
8月3日消息，韩国存储芯片制造商SK海力士今日表示，该公司成功研发出全球首款业界最高层数的238层512Gb TLC（Triple Level Cell）4D闪存芯片（NAND）样品，该芯片将于明年上半年实现量产。
美光232层TLC闪存量产：性能翻倍，密度全球最高！
7月27日消息，今年5月，存储芯片大厂美光（Micron）发布了业界首个 232 层堆栈的3D NAND芯片，昨日晚间，美光宣布其232层堆栈的TLC闪存正式量产。这是全球首个量产的超过200层的闪存，也是业界密度最高的，接口速度提升到2.4GB/s，写入速度提升100%。
长江存储开始向客户交付192层3D NAND样品，预计年底正式量产
5月18日消息，据台湾《电子时报》援引消息人士的话报道称，长江存储最近已向一些客户交付了其自主研发的192层3D NAND闪存的样品，预计将在今年年底前正式推出相应产品。
西部数据将量产162层3D NAND：一块晶圆容量可达100TB
5月17日消息，近日西部数据宣布，与铠侠联合开发的BiCS NAND闪存将进入第六代，堆叠层数达到162层，今年即投入量产。
美光发布业界首款232层3D NAND Flash，预计年底量产！同时推出三年长合约
近日，存储芯片大厂美光（Micron）发布了业界首个 232 层堆栈的 3D NAND Flash芯片，并计划将这款 232 层堆栈 3D NAND Flash芯片应用于包括固态硬盘等产品上，预计在 2022 年底左右开始量产。
