虽然国产存储产业与国外三星等巨头相比仍有较大差距,但是发展国产存储器确实是刻不容缓的一件大事,因为存储产业不仅关乎国家半导体产业发展,更关乎国家信息存储安全。而国产存储芯片厂商能够在短时间内取得一些成绩也是非常值得肯定的。
4月26号,习近平总书记来到武汉新芯集成电路制造有限公司,查看集成电路生产线,了解芯片全流程智能化制造和加快国产化进程等情况。
中国正在加快半导体芯片国产化,2018年底或将开始提供具有自主知识产权的3D NAND闪存芯片。
4月11日上午9:30,由紫光集团联合国家集成电路产业投资基金、湖北集成电路业投资基金、湖北科投共同投资建设的国家存储器基地项目芯片生产机台正式进场安装,这标志着国家存储器基地从厂房建设阶段进入量产准备阶段,中国首批拥有完全自主知识产权的32层三维NAND闪存芯片将于年内量产。
今天,在CITE2018展会上开幕式上,赵伟国正式宣布,紫光集团旗下的长江存储32层64G 3D NAND Flash存储器将会在2018年达成小规模量产的目标,2019年64层128G 3DNAND Flash储器则将会进入规模研发的阶段。
尽管大陆是世界第二大经济体,在航空航天、装备制造、新能源、新材料等产业领域占有优势,但半导体、光电等产业发展则相对滞后,而且落后于对岸的台湾。
9月28日消息,由紫光集团联合国家集成电路产业投资基金、湖北省集成电路产业投资基金、湖北科投共同投资建设的国家存储器基地项目(一期)一号生产及动力厂房,实现提前封顶。
7月16日晚间,紫光集团旗下上市公司紫光国芯发布了《关于终止筹划重大资产重组暨股票复牌的公告》,宣布终止收购长江存储科技控股有限责任公司(以下简称“长江存储”)。
目前国内三大存储器厂商正处于紧锣密鼓的施工阶段,预计2018上半年陆续进入设备安装阶段,新一轮的设备入厂调试安装大戏即将上演。
而为了加快国产闪存产业的发展,不少公司都在努力。在挖来台湾DRAM教父高启全后,紫光旗下的长江存储也开始加速研发。近日,高启全接受媒体采访时表示,长江存储将在2019年开始量产64层堆栈的3D NAND闪存,这个消息无疑让人振奋,而在今年他们还将出样32层NAND闪存。