长江存储董事长陈南翔：中国芯片产业路在何方？
近日，中国半导体行业协会理事长、长江存储董事长陈南翔在接受中央广播电视总台CGTN专访时表示，中国芯片产业目前还没有达到爆发式增长，但那一天终究会到来，未来3-5年将看到这一进步。他相信，凭借不断增长的人才基础和长远的考虑，国内产业能够在竞争激烈的全球市场中蓬勃发展，而且在未来集成电路产业的发展中一定正孕育着一个巨大的成功模式。
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长江存储再度“亮剑”：起诉美光其侵犯11项美国专利！
7月20日消息，据Tomshardware报道，中国3D NAND Flash大厂长江存储（YMTC）近日在美国加利福尼亚州北部地区再度对美光提起诉讼，指控这家美国公司侵犯了其11项专利，涉及3D NAND Flash及DRAM产品。长江存储要求法院勒令美光停止在美国销售侵权的存储器产品，同时支付专利使用费。
长江存储起诉美光资助的咨询公司及其副总裁，指控其散布虚假信息！
据“出口管制合规研究”消息显示，今年6月份，国产存储芯片厂商长江存储（YMTC）在美国加利福尼亚州北区联邦地区法院提起诉讼，指控受美光资助的丹麦咨询公司Strand Consult及其副总裁罗丝琳·雷顿（Roslyn Layton）散布虚假信息，破坏长江存储的市场声誉和商业关系。
3D NAND原厂垂直单元效率对比，哪家存储效率更高？
近日市场研究机构Techinsights对于三星、SK海力士/Solidigm、美光、KIOXIA/WD、YMTC的200层以上的3D NAND Flash进行了对比分析，发现三星的垂直单元效率 (VCE，vertical cell efficiency) 是最高的。
武汉新芯启动IPO辅导，长存集团持股超68%！
5月13日消息，据证监会官网信息，武汉新芯集成电路股份有限公司（以下简称“武汉新芯”）近期在湖北证监局披露了IPO辅导备案报告，这一动作预示着武汉新芯正式开启了公司IPO上市进程。
长江存储推出新一代QLC闪存：读写速度提升100%，寿命可达4000次擦写！
3月22日消息，近日的中国闪存市场峰会上，长江存储展示了一系列产品和技术解决方案，包括新一代QLC 3D NAND闪存，内部代号“X3-6070”，就有着极为优秀的素质，可满足企业级、消费级、嵌入式全场景的应用需求。
传长鑫存储已量产18.5nm DRAM芯片
1月26日消息，据外媒报道，国产DRAM芯片厂商长鑫存储（CXMT）位于合肥的新工厂已经开始批量生产 18.5 纳米工艺的 DRAM 芯片，合肥工厂一期已接近满负荷生产，月产量达到 100000 片晶圆。即将进行的二期扩建将在 2024 年底前完成，每月增加 40000 片晶圆，让长鑫存储的 DRAM 总产能达到全球规模的 10%。
长江存储“亮剑”：在美起诉美光侵犯其8项3D NAND专利！
11月11日消息，芯智讯通过美国加州北区地方法院最新公布的信息了解到，中国3D NAND闪存制造商——长江存储科技有限责任公司（以下简称“长江存储”）已于11月9日在美国加州北区地方法院对美国美光科技公司（MICRON）和美光消费类产品事业部（MICRON CONSUMER PRODUCTS GROUP, LLC）（以下统称“美光”）提起诉讼，指控美光侵犯了其8项与3D NAND相关的美国专利。
密码保护：传小米14有采用国产232层NAND Flash
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超·有Ti度！长江存储致态Ti系列首款固态硬盘Ti600发布
长江存储旗下唯 一零售存储品牌致态进一步丰富产品线，于 2023 年 9 月 26 日正式发布Ti系列家族的首 款产品——致态Ti600 固态硬盘，是继致态旗舰TiPro系列、主流TiPlus系列之后的一款SSD入门级新品。
长江存储被制裁一年后，三星、SK海力士宣布3D NAND将迈入300层！
2022年，美光、SK海力士、三星等相继量产了232层3D NAND Flash，但是在美方的制裁之下，长存128层及以上NAND Flash的供应链受到严重阻碍。在此背景之下，这些国际大厂纷纷加速迈向300层，希望能主导未来3D NAND Flash的技术路线。
密码保护：YMTC 232层3D NAND拆解：采用了多项先进技术，密度高达15.47Gb/mm2
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