传长鑫存储已量产18.5nm DRAM芯片

1月26日消息，据外媒报道，国产DRAM芯片厂商长鑫存储（CXMT）位于合肥的新工厂已经开始批量生产 18.5 纳米工艺的 DRAM 芯片，合肥工厂一期已接近满负荷生产，月产量达到 100000 片晶圆。即将进行的二期扩建将在 2024 年底前完成，每月增加 40000 片晶圆，让长鑫存储的 DRAM 总产能达到全球规模的 10%。

在产品方面，2023年11月28日，长鑫存储通过官网宣布推出LPDDR5系列DRAM产品，正式进军移动终端市场，并成功完成了与小米、传音等国产手机品牌机型的上机验证。

另据了解，长江存储虽然在产能增长方面面临全面限制，由于关键设备的进口现已停止，而且建立本土材料和工具供应链存在诸多挑战，但该公司在研发方面依然取得新进展。在产品方面，除了232层产品外，长江存储还在研发超过 300 层的 NAND 闪存，目标是克服外部不利因素，推动NAND技术及产能继续向前发展。

编辑：芯智讯-林子