传长鑫存储已量产18.5nm DRAM芯片

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1月26日消息,据外媒报道,国产DRAM芯片厂商长鑫存储(CXMT)位于合肥的新工厂已经开始批量生产 18.5 纳米工艺的 DRAM 芯片,合肥工厂一期已接近满负荷生产,月产量达到 100000 片晶圆。即将进行的二期扩建将在 2024 年底前完成,每月增加 40000 片晶圆,让长鑫存储的 DRAM 总产能达到全球规模的 10%。

在产品方面,2023年11月28日,长鑫存储通过官网宣布推出LPDDR5系列DRAM产品,正式进军移动终端市场,并成功完成了与小米、传音等国产手机品牌机型的上机验证。

另据了解,长江存储虽然在产能增长方面面临全面限制,由于关键设备的进口现已停止,而且建立本土材料和工具供应链存在诸多挑战,但该公司在研发方面依然取得新进展。在产品方面,除了232层产品外,长江存储还在研发超过 300 层的 NAND 闪存,目标是克服外部不利因素,推动NAND技术及产能继续向前发展。

编辑:芯智讯-林子

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