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长江存储:产能翻倍传闻为不实言论

日前,日经亚洲评论援引消息人士的话报道称,长江存储计划今年将产量提高一倍至10万片晶圆,同时长江存储还计划最早将于2021年年中试产第一批192层3D NAND闪存芯片。不过为确保量产芯片质量,该计划有可能会被推迟至今年下半年。对此,1月13日,长江存储官方微信号发布声明进行回应。

长江存储推出128层QLC闪存,单颗容量达1.33Tb

2020年4月13日,长江存储科技有限责任公司宣布其128层QLC 3D NAND 闪存(型号: X2-6070)研发成功,并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。作为业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存,长江存储X2-6070拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度,最高I/O传输速度和最高单颗NAND 闪存芯片容量。此次同时发布的还有128层512Gb TLC(3 bit/cell)规格闪存芯片(型号:X2-9060),以满足不同应用场景的需求。

跳过96层!长江存储宣布今年将如期推出128层闪存

近日,长江存储CEO杨士宁在接受采访时最新表示,受新冠疫情影响,128层闪存的研发进度在短期确实会有所波及,但长江存储已实现全员复工,各项进度正在抓紧追赶,从中长期来看,这次疫情并不会影响总体进度。