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因良率问题,三星第六代10nm级1c DRAM 延后半年

1月21日消息,据韩国媒体MoneyToday报导,DRAM大厂三星电子之前宣称其第六代10nm级1c DRAM制程2024年底开发完并量产,但良率没有提升,导致开发延后6个月到2025年6月才能完成,这也会使预定下半年量产的第六代高频宽內存(HBM4)一并延后。
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详解美国对华晶圆代工限制新规(附完整规则)

当地时间1月15日,美国联邦公报官网发布公告称,美国商务部工业与安全局(BIS)宣布修订出口管理法规(EAR),要求提供与高级计算集成电路(IC)相关的更多尽职调查程序,旨在保护美国国家安全,同时协助前端半导体制造工厂和外包半导体封装与测试(OSAT)公司在遵守EAR供应链相关规定时更有效。

传三星西安NAND Flash工厂减产超10%!

1月13日消息,据业内传闻显示,三星电子已决定削减其位于中国西安工厂的NAND Flash投片量减少超过10%。由于目前全球NAND Flash已经供过于求,或将导致今年NAND Flash价格大幅下跌,三星电子减产举措似乎是为了推动NAND Flash价格企稳,以减少NAND Flash业务的损失。

三星完成HBM4逻辑基础裸片设计,采用自家4nm制程

1月5日消息,据《朝鲜日报》报导,三星设备解决方案(DS)部门的內存业务部最近已经了完成HBM4高频宽內存逻辑芯片的设计,三星Foundry业务部门也已经根据该设计,采用4nm制程进行了试产,在完成逻辑基础裸片(Logic Base Die)的最终性能验证后,三星将正式提供HBM4样品验证。