美国拟禁止接受芯片法案补贴的晶圆厂采用中国半导体设备
6月20日消息，据彭博社爆料称，美国国会议员近期又提出了新的议案，希望阻止接受美国联邦芯片制造补贴资金的企业在美国的厂房使用中国制造的半导体设备，以限制中国半导体产业的影响力。
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传三星美国德州晶圆厂全面升级2nm，将与台积电一较高下
6月19日消息，据韩国新闻机构ETnews 报道，三星已推迟了其位于美国德克萨斯州泰勒市的新晶圆厂的设备订单，以考虑将原定的4nm制程工艺也升级到2nm，预计将会在今年三季度正式宣布。
三星3nm良率及功耗表现不佳？传Galaxy S25系列处理器将由高通独家供应
6月18日消息，虽然传闻三星的新一代旗舰智能手机Galaxy S25系列将会拥有采用自研的Exynos 2500处理器的版本，但是天风国际证券分析师郭明錤最新的爆料称，高通可能将会是Galaxy S25系列唯一的处理器供应商（Galaxy S24的供应比例为40%），因为Exynos 2500可能因为低于预期的3nm产量而无法供应。
12年来首次！三星批准了“GPU投资提案”
6月18日消息，据韩国媒体Business Korea报导，根据三星的公司治理报告，三星管理委员会在今年3月批准了“GPU投资提案”，不过三星并未透露GPU投资提案的细节。
支持在CPU/GPU上堆叠HBM内存，三星SAINT-D封装技术今年商用
6月18日消息，据《韩国经济日报》报道，三星将于今年推出高带宽内存 (HBM) 的 3D 封装服务，该报道援引了三星日前在美国圣何塞举行的 2024 年三星代工论坛上的声明以及“业内消息人士”的说法，三星 3D 封装技术基本上将为2025 年底至 2026 年的HBM4集成铺平道路。
3D NAND原厂垂直单元效率对比，哪家存储效率更高？
近日市场研究机构Techinsights对于三星、SK海力士/Solidigm、美光、KIOXIA/WD、YMTC的200层以上的3D NAND Flash进行了对比分析，发现三星的垂直单元效率 (VCE，vertical cell efficiency) 是最高的。
为什么HBM玩家这么少？面临这五大关键门槛
6月17日消息，在当前人工智能（AI）芯片中扮演不可或缺地位的高带宽內存（HBM），其生产困难点有哪些，为什么迄今全球只有SK海力士、美光和三星这三家DRAM大厂有能力跨入该市场，外媒对此做了一个综合性的分析。
高通骁龙8 Gen3太贵，传三星Galaxy Tab S10 Plus将采用天玑9300+处理器
6月17日消息，据韩国媒体Chosun报道，三星将对其Galaxy Tab S10系列平板进行重大更改，其中Galaxy Tab S10 Plus据说将会采用联发科的天玑9300+ 处理器平台，而不是高通的Snapdragon 8 Gen 3。这将是这家韩国巨头首次在其高端平板电脑系列中使用联发科的处理器。那么是什么导致了三星做出这样的决定？根据一份报告显示，主要原因之一是由于高通芯片组价格上涨的影响。
传高通骁龙8 Gen 4将涨价30%，骁龙8 Gen 5将采用双代工策略
6月13日晚间，天风国际证券分析师郭明錤发文称，2024年上半年即将量产的高通SM8750（骁龙8 Gen 4）的报价比目前的旗舰芯片SM8650（骁龙8 Gen 3）高出25%-30%至190-200美元，主要原因在于骁龙8 Gen 4采用了台积电最新且成本较高的N3E制程。
合约价上涨，推升DRAM第一季营收季增5.1%至183.5亿美元
6月13日消息，根据全球市场研究机构TrendForce集邦咨询调查显示，2024年第一季DRAM产业主流产品合约价走扬、且涨幅较2023年第四季扩大，带动营收较前一季度成长5.1%，达183.5亿美元，推动多数业者营收延续季增趋势。
三星公布最新工艺路线图：2027年量产1.4nm，还有一站式AI解决方案！
当地时间6月12日，三星电子在位于美国加州圣何塞的设备解决方案业务美国总部举行的年度盛会三星代工论坛 (SFF) 美国站期间，展示了其最新的代工创新技术，并概述了其对人工智能时代的愿景。
韩国AI芯片厂商DeepX转投台积电3nm制程
6月11日消息，据韩国媒体TheElec报导，韩国AI芯片初创企业DeepX的新的3nm AI芯片的代工已经从三星转达到了台积电。
