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长鑫科技IPO前夕,腾讯送来200亿订单

长鑫科技IPO前夕,腾讯送来200亿订单?

6月29日消息,据路透社报道,在即将登陆科创板上市的前夕,中国DRAM芯片龙头长鑫存储与中国互联网巨头腾讯控股签署了一份价值超过200亿元人民币(约合29.4亿美元)的长期供应协议。
Memory Trio Samsung, SK Hynix & Micron Face Class Action Lawsuit As Prices Reach Historical High Due To Shortages 6月29日消息,由于市场持续供不应求,DRAM价格不断创下历史新高,虽然市场普遍认为最糟糕的情况尚未到来,但目前美国消费者已对此感到非常不满,并向三大DRAM制造商提出集体诉讼。  三大DRAM巨头被指合谋操控DRAM价格  报道显示,三星、SK海力士和美光于近日在美国加州北区联邦法院被提起集体诉讼,案号为“3:26-cv-06345”,指控这三家公司通过协同限制传统DRAM供应,人为操纵内存价格,损害了消费者和企业利益。  A document lists Bathaee Dunne LLP attorneys and their contact information, detailing a class action complaint filed in the United States District Court, Northern District of California, against Samsung Electronics and other tech companies, with ‘Case No. 3:26-cv-6345’ prominently displayed.  提起诉讼的当事人包括 Marc Garciaguirre、Tyree Burnett Jr.、Joseph Flores、Rodolfo Gurrola Jr.、Brook Barclift、Theo Papulis、Paul Henning、Jeff Ramirez Ochoa、Troy’s Computers LLC、JB Tech Solutions LLC、Evan Feliciano、Wastenotime Developments Performance Fabrications、Brian Graber、Joseph Danson、John Prineas、Thomas Yu 和 Donald Barber。  原告在诉状中指控称,这三家占据全球DRAM市场绝大部分份额的巨头,借向人工智能高带宽内存(HBM)战略转型之名,协同削减了DDR3和DDR4等传统内存的产量,人为制造了供应短缺来抬高价格,要求这些公司赔偿损失。  原告表示,HBM内存芯片在物理尺寸上远大于标准DDR芯片——单颗HBM3E DRAM芯片的面积约为DDR芯片的两倍。这意味着每生产一颗HBM芯片就要消耗两倍的晶圆面积。2026年,HBM预计将占全球DRAM晶圆产能的约25%,而HBM需求正以每年约70%的速度增长。尽管全球DRAM晶圆总产能2026年预计增长14%,但分配给传统DRAM的产能仅增长10%,这一“剪刀差”直接导致了消费级内存的供应缺口。  这一产能再分配的后果是,传统DRAM价格在过去四年中累计上涨约700%,原告方将这一现象称为“RAMpocalypse”(内存末日)。苹果公司近期全面上调iPad和Mac产品线售价,被诉讼援引为价格传导至终端消费者的典型案例。  2005年的反垄断阴影  这并非DRAM厂商首次面临此类指控。原告在诉讼中明确援引了历史先例:2002年,美国司法部启动反垄断调查,并向三星、美光、海力士、英飞凌及尔必达等主要DRAM厂商发出传票。  2004年9月,英飞凌认罪,被处以1.6亿美元罚款。  2005年,三星电子向美国司法部认罪,承认在1999年4月至2002年6月期间参与DRAM价格操纵阴谋,被处以3亿美元刑事罚款——当时为美国反垄断史上第二大罚款。  同年,SK海力士(当时为Hynix)也认罪并被罚1.85亿美元。  包括尔必达(Elpida)在内,整起案件总罚金达到7.31亿美元,多名高管被判处监禁。美光科技由于在调查中配合了美国司法部,因而未被处以刑事罚款。  当时直接受价格操纵影响的PC厂商包括戴尔、康柏、惠普、苹果、IBM和Gateway。  原告试图通过这一记录,向法庭呈现三家DRAM公司存在系统性、重复性串谋的行为模式。  真短缺还是人为制造?  与2000年代初的案件不同,三家公司此次拥有一个看似合理的解释:AI浪潮带来的HBM需求井喷。美光CEO Sanjay Mehrotra在2026年第三财季财报中表示:“由于AI驱动的需求增长和结构性供应限制,我们预计供应紧张状况将持续到2027年之后。”  市场分析也印证了DRAM涨势的迅猛。S&P Global旗下Visible Alpha的共识预测报告称,2026年三星传统DRAM每比特收入预计同比上涨116%,SK海力士上涨78%,美光上涨54%。TrendForce的报告指出,2026年第一季度传统DRAM合约价格环比上涨了创纪录的90-95%,第二季度预计仍将上涨58-63%。  投资银行杰富瑞(Jefferies)最新发布的报告预计,2026年第三季度存储芯片价格将环比再涨40%至50%,第四季度继续环比上行30%至40%;2027年全年价格同比仍将增长40%至45%,实质性放缓可能要到2028年。包括联想在内的多家企业已公开表示,内存高价将成为“新常态”。  然而,原告方质疑三家公司“本可以同步扩产传统DRAM却选择不这样做”的动机。一个关键细节是,美光在2025年底宣布关闭其消费级品牌Crucial,该品牌生产面向普通PC和笔记本的内存产品。而美光这一决定恰逢其销售达到峰值盈利能力之时。原告方将此解读为有意压缩大众市场供应的证据,而非被动的市场反应。  漫长的司法程序  该案将由美国加州北区联邦法院的Noel Wise法官审理。根据该法院的标准程序,此类复杂案件的庭审通常安排在初次案件管理会议后的12至20个月内。  对消费者而言,这场诉讼的结果不会改变短期内继续面对高价内存的现实。三家DRAM巨头已经与大型云服务商签订多年长期协议,进一步挤压了普通消费市场的供应。  对法律观察者来说,一个关键问题是:原告方能否提供足够的证据,证明三家公司的产能调配属于“协同行为”而非“有意识的平行行为”——后者在寡头垄断市场中通常不构成违法。  2005年的案件以三家DRAM公司认罪和巨额罚款告终。这一次,在AI叙事的加持下,针对三大DRAM巨头的集体诉讼的结果并不乐观。  编辑:芯智讯-浪客剑

DRAM三巨头遭遇集体诉讼!

6月29日消息,由于市场持续供不应求,DRAM价格不断创下历史新高,虽然市场普遍认为最糟糕的情况尚未到来,但目前美国消费者已对此感到非常不满,并向三大DRAM制造商提出集体诉讼。

三星、SK集团公布最新投资计划!

6月29日,韩国总统李在明在青瓦台主持了《韩国三大重大项目国家报告》,宣布半导体、物理AI、AI数据中心将成为推动韩国飞跃的三大超级项目。三星电子董事长李在镕和SK集团董事长崔泰源均出席了本次会议,并公布了最新的在韩国本土的巨额投资计划。

存储芯片价格Q3将飙升50%,Q4将再涨40%!

6月27日消息,投资银行杰富瑞(Jefferies)在最新发布的研报中发出严厉警告,全球存储芯片价格的上涨势头远未结束,2026年下半年将出现远超市场预期的价格跳涨,且供应紧张局面可能要到2028年才能出现实质性缓解。