三星获得AMD MI350系列HBM3E订单
6月16日消息，据韩国媒体Business Korea 报导，处理器大厂AMD于上周发布的全新人工智能（AI）芯片MI350 系列将搭载三星电子的12层堆叠的HBM3E高带宽内存。这对三星电子来是个好消息，因为该公司在英伟达的HBM 认证方面一直遭遇挫折。此外，AMD 将于2026年推出的下一代MI400 系列芯片也对三星的HBM4 供应有所期待。
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ASML EUV光刻之路还能走多远？
目前全球几乎所有的7nm以下的制程工艺都全面采用了ASML的EUV光刻机来进行量产，同时随着DRAM制程进入到10nm，美光、三星、SK海力士等存储大厂也开始或计划导入EUV光刻机。
索尼获西部数据订单，计划将HAMR HDD所需“激光二极管”产能倍增
据《日经新闻》报道，随着生成式AI持续火爆，数据中心对于HDD（机械硬盘）的需求也持续增长。近日，美国HDD大厂西部数据与索尼半导体达成合作，索尼半导体将向西部数据供应HAMR HDD 所需的关键零部件“激光二极管”。
DDR4现货价一天大涨近8%
6月16日消息，据台媒《经济日报》报道，由于DDR4供应减少，再加上市场神秘买家大举出手扫货，最新的8Gb/16Gb DDR4 DRAM现货价等规格单日都暴涨近8%，涨幅令业界瞠目结舌。
台积电、三星激战2nm
6月16日消息，据“韩国前锋报”报导，台积电和三星电子目标都是在今年下半年量产2nm制程芯片，两大半导体厂的抢单大战预计将更加激烈，但三星的良率持续低于台积电，成为吸引订单的挑战。
中国台湾将华为及中芯国际列入出口管制“黑名单”
6月15日消息，据彭博社报道，中国台湾已将华为技术有限公司和中芯国际列入了出口管制黑名单，这对此前已经被美国列入实体清单的这两家公司又造成了一定程度的打击。
美光宣布将停产DDR4，价格或将持续上涨
6月14日消息，据外媒wccftech报道，美国DRAM芯片大厂美光已正式通知客户，其DDR4 內存产品即将停产（EOL），未来6到9个月内将逐步减少出货。至此，包括三星、SK海力士和美光在内全球前三大DRAM厂商均已退出了DDR4市场。
英特尔7月将启动新一轮裁员，俄勒冈州晶圆厂或将裁员2000人
6月15日消息，据外媒Oregon Live报导，英特尔已经于本周向员工发出通知，将从今年7月中旬起，开始裁减位于俄勒冈州Silicon Forest园区的晶圆厂人员，首轮裁员预计将于7月底前完成，而且可能会启动第二波裁员。
台系芯片设计业先进制程导入率将达45%
6月14日消息，据台媒报道，中国台湾经济部门为了协助台厂提升竞争力，已经寄出了三大策略，包括晶创计划、类似团购模式取得电子设计自动化（EDA）优惠价以及人才培育，借此降低台厂导入先进制程成本，经济部门设定今年芯片设计使用先进制程目标比例为45%。
鸿海在印度制造的97%的iPhone均出口到了美国市场
6月15日消息，据路透社报道，根据最新的海关数据显示，苹果公司（Apple）已调整在印度制造iPhone的出口布局，现在几乎只出口美国市场，而过去这些iPhone的出口范围涵盖荷兰、捷克和英国等地。
OpenAI CEO：正与AMD紧密合作，计划采用MI450加速器！
当地时间2025年6月12日，在AMD Advancing AI 2025 大会上，OpenAI创始人兼首席执行官Sam Altman现身大会现场，并与AMD 董事长暨首席执行官苏姿丰（Lisa Su）进行对谈。Sam Altman 表示，2030年AI 系统就能做出非常创新的东西，实现新科学发掘，执行非常复杂的社会功能，甚至无法想像的事物。
泛林集团在ALD和EUV光刻胶处理设备领域下重注
美国半导体设备大厂泛林集团（Lam Research）目前正重点关注两项关键技术——原子层沉积 (ALD) 和干式 EUV（极紫外）光刻胶处理相关设备。随着晶体管微缩越来越小、越来越复杂，这两项技术变得越来越重要。
