
8月4日,韩国三星电子于FMS 2026大会上展示其最新的AI内存产品组合与技术路线图,首度公开zHBM与zNAND-O概念模型,并推出业界首款层数超过400层的V10 BV-NAND。

8月4日,日本半导体大厂罗姆(ROHM)宣布,已成功开发出第二代太赫兹波(Terahertz-wave)振荡芯片。新产品采用共振穿隧二极管(RTD)构架,在维持与前一代相同的0.5毫米见方微型尺寸下,将最大振荡输出功率提升至40微瓦(μW),约为第一代的4倍。

8月4日消息,根据市场研究机构Counterpoint Research最新发布的《全球存储追踪报告》,2026年第二季度全球DRAM市场格局发生显著变化,三星份额重回第一,美光份额接近SK海力士,长鑫存储份额为7%。

8月4日,晶圆代工厂世界先进召开了2026年第二季法说会,公布第二季合并营收约为新台币142.45亿元,环比增长13.7%、同比增长21.8%;归属于母公司业主净利约为新台币29.75亿元,环比增长32.4%、同比增长45.6%;每股税后收益约为新台币1.56元。

8月4日,台系DRAM厂商南亚科技公布2026年7月营收快报。当月自结合并营收为新台币438.68亿元,环比大涨49.27%,同比暴涨719.61%;累计1-7月合并营收为新台币1,755.04亿元,同比暴涨660.87%。

8月4日消息,据路透社援引四位知情人士透露,美国特朗普政府正在起草一项禁令,拟禁止美国实体进口中国生产的新型数据中心组件。此举意在保护支撑人工智能(AI)繁荣的关键基础设施。

8月4日,韩国存储芯片巨头SK海力士(SK Hynix)与旗下工会代表在忠清北道清州市厂区举行第五轮奖金谈判。然而,围绕巨额奖金的发放方式,劳资双方分歧严重,谈判前景不容乐观。工会警告若资方不提出“具体修正方案”将采取必要行动。

8月4日消息,根据TrendForce集邦咨询最新存储器产业研究,由于DRAM供不应求格局将延续至2027年,而且原厂HBM4e的验证进度存在变量,自2026年第三季起,NVIDIA(英伟达)对Rubin Ultra的HBM配置已从HBM4e 12hi,改为并行评估HBM4e 8hi、HBM4 12hi、HBM4 8hi等设计,目前尚未定案。除了NVIDIA外,部分云端服务供应商(CSP)也正考虑调降下一代自研ASIC的HBM容量设计。

8月3日消息,根据彭博社报道,光刻机大厂ASML供应商——德国蔡司集团(Zeiss Group)半导体事业部负责人Frank Rohmund近日在接受彭博社采访时反驳市场对AI供应链瓶颈的疑虑,并表示有信心具备足够产能,可应对持续攀升的需求。

8月4日消息,爱立信近期与美国电信商AT&T 在近期落幕的全球规模最大的体育赛事期间,在5G 网络上运用先进网络感测(Network Sensing)技术实现无人机侦测,展现超前部署6G网络能力,在后5G 时代已可以透过现有技术实现。

据台媒《经济日报》报道,供应链消息显示,在英伟达、AMD、博通等大客户的积极追单之下,原本预期台积电3nm今年底的月投片量将达到了18万片的目标,有望提前于四季度达成。

当地时间8月3日,美国图像传感器及功率半导体大厂安森美(ON Semiconductor)公布了第二季财报。受益于AI数据中心对电源管理芯片需求的快速增长,安森美第二季财报优于市场预期,盘后股价大涨7.41%。