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罗姆推出第二代太赫兹振荡芯片,输出功率提升至4倍

罗姆推出第二代太赫兹振荡芯片,输出功率提升至4倍
8月4日,日本半导体大厂罗姆(ROHM)宣布,已成功开发出第二代太赫兹波(Terahertz-wave)振荡芯片。新产品采用共振穿隧二极管(RTD)构架,在维持与前一代相同的0.5毫米见方微型尺寸下,将最大振荡输出功率提升至40微瓦(μW),约为第一代的4倍。

长鑫Q2营收暴涨716%,拿下7%全球DRAM市场!

长鑫Q2营收暴涨716%,拿下7%全球DRAM市场!
8月4日消息,根据市场研究机构Counterpoint Research最新发布的《全球存储追踪报告》,2026年第二季度全球DRAM市场格局发生显著变化,三星份额重回第一,美光份额接近SK海力士,长鑫存储份额为7%。

南亚科技7月营收暴涨719.61%!

利基型DRAM下半年价格大跌30%
8月4日,台系DRAM厂商南亚科技公布2026年7月营收快报。当月自结合并营收为新台币438.68亿元,环比大涨49.27%,同比暴涨719.61%;累计1-7月合并营收为新台币1,755.04亿元,同比暴涨660.87%。

传美国拟禁止采购中国光模块!

8月4日消息,据路透社援引四位知情人士透露,美国特朗普政府正在起草一项禁令,拟禁止美国实体进口中国生产的新型数据中心组件。此举意在保护支撑人工智能(AI)繁荣的关键基础设施。

2027年DRAM供给持续紧张,英伟达评估下调Rubin Ultra HBM配置

2027年DRAM供给持续紧张,英伟达评估下调Rubin Ultra HBM配置
8月4日消息,根据TrendForce集邦咨询最新存储器产业研究,由于DRAM供不应求格局将延续至2027年,而且原厂HBM4e的验证进度存在变量,自2026年第三季起,NVIDIA(英伟达)对Rubin Ultra的HBM配置已从HBM4e 12hi,改为并行评估HBM4e 8hi、HBM4 12hi、HBM4 8hi等设计,目前尚未定案。除了NVIDIA外,部分云端服务供应商(CSP)也正考虑调降下一代自研ASIC的HBM容量设计。

蔡司:与ASML技术蓝图已规划至2040年!

蔡司:与ASML技术蓝图已规划至2040年!
8月3日消息,根据彭博社报道,光刻机大厂ASML供应商——德国蔡司集团(Zeiss Group)半导体事业部负责人Frank Rohmund近日在接受彭博社采访时反驳市场对AI供应链瓶颈的疑虑,并表示有信心具备足够产能,可应对持续攀升的需求。

台积电2nm月产能将达10万片

台积电2nm月产能将达10万片
据台媒《经济日报》报道,供应链消息显示,在英伟达、AMD、博通等大客户的积极追单之下,原本预期台积电3nm今年底的月投片量将达到了18万片的目标,有望提前于四季度达成。

安森美Q2净利同比增长33.2%

当地时间8月3日,美国图像传感器及功率半导体大厂安森美(ON Semiconductor)公布了第二季财报。受益于AI数据中心对电源管理芯片需求的快速增长,安森美第二季财报优于市场预期,盘后股价大涨7.41%。