Q3净利暴涨119%！SK海力士：明年HBM供应谈判已完成！

10月29日，存储芯片大厂SK海力士（SKhynix）公布了第三季度财报。在DRAM和NAND价格全面上涨以及AI服务器高性能存储产品出货量增加的推动下，SK海力士实现了有史以来最高的季度业绩，特别是营业利润在公司历史上首次突破10万亿韩元。

SK海力士第三季营收为24.4489万亿韩元，同比增长39%，环比增长10%；营业利润为11.3834万亿韩元，同比增长62%，环比增长24%；营业利润率为47%，同比增长7百分点，环比增长6个百分点；净利润为12.5975万亿韩元，同比暴涨119%，环比暴涨80%；净利润率为52%，

在此强劲业绩的基础上，SK海力士第三季度末的现金及现金等价物较上一季度增加10.9万亿韩元，达到27.9万亿韩元。与此同时，有息债务为24.1万亿韩元，使该公司能够成功过渡到3.8万亿韩元的净现金头寸。

SK海力士表示，由于客户对人工智能基础设施的投资不断扩大，整个存储领域的需求激增，SK海力士凭借12Hi HBM3E和服务器用DDR5等高附加值产品的销售额增长，业绩再次超越了上一季度的历史新高。

特别是在AI服务器需求激增的推动下，128GB以上的大容量DDR5出货量较上一季度增长了一倍多。同时，在NAND Flash方面，AI 服务器所需的 eSSD 的出货也大幅扩大。

SK海力士指出，随着人工智能市场迅速转向推理驱动的工作负载，人们越来越有兴趣将人工智能服务器的计算负载分布在更广泛的基础设施（例如通用服务器）上。预计这一趋势将进一步扩大整个存储产品组合的需求，包括高性能 DDR5 和 eSSD。

此外，全球领先的人工智能企业最近一轮战略合作伙伴关系和人工智能数据中心扩张公告提供了进一步的动力。

今年10月1日，SK集团宣布与OpenAI达成战略合作，其中SK海力士将作为高带宽存储器（HBM）半导体供应商参与“星际之门”计划。SK海力士计划建立一个能够快速响应每月高达90万片DRAM晶圆HBM供应需求的生产体系。

SK海力士预计，这不仅将推动 HBM 的需求均衡增长，还将推动包括通用服务器内存解决方案在内的各种产品线的需求均衡增长。

为此，SK海力士计划加速向最先进的1c nm工艺迁移，即已经稳定量产的第六代10nm技术。这将使该公司能够在服务器、移动和图形应用中建立完整的 DRAM 产品线，并通过扩大供应灵活响应客户需求。在NAND方面，公司还将增加全球最高的321层TLC和QLC产品的产量，以迅速满足客户需求。

SK海力士强调，其已与主要客户就明年的HBM供应完成了讨论。新一代的HBM4已经于今年9月完成开发并进入量产，完全满足客户的性能要求，支持行业领先的速度，出货将于今年第四季度开始，并计划在明年全面扩大销售。此外，随着对人工智能存储的需求激增，该公司已经确保了明年整个 DRAM 和 NAND 生产的全部客户需求。

为了满足高于预期的客户需求，SK海力士还计划通过M15X扩大产能，M15X在新洁净室提前开放后开始安装设备，并加速向先进工艺技术的迁移。因此，明年的投资预计将比今年增加，反映出公司对与市场保持一致的投资策略的持续承诺。

SK海力士首席财务官金宇贤表示：“随着人工智能技术的创新，内存市场已经转向新的范式，需求已开始蔓延到所有产品领域。我们将继续通过市场领先的产品和差异化的技术能力来响应客户需求，从而加强我们在人工智能存储产品方面的领导地位。”

Counterpoint Research 研究总监MS Hwang 预期，HBM 市场未来将持续急速成长，到2027年将达约430亿美元，为像SK海力士这类內存制造商带来强劲的盈利效应。

编辑：芯智讯-浪客剑