携手英特尔，联电12nm明年通过验证

近日，晶圆代工大厂联电2024年度营运报告书出炉。其中提到，与英特尔合作开发的12nm FinFET制程技术平台进展顺利，预计2026年完成制程开发并通过验证。联电还披露了封装领域进展，晶圆级混合键合技术、3D IC异质整合等技术已成功开发，未来将全面支持边缘及云端AI应用。

虽然全球半导体产业面临多重挑战，联电2024年依然交出每股税后收益新台币3.8元的成绩单，有鉴于陆系成熟制程厂商不断开出产能，为避免走向竞价商模，联电转型特殊制程及差异化应用，并为AI时代做好准备。

联电强调，与英特尔合作开发的12nm FinFET制程技术平台，预计2026年完成制程开发并通过验证，符合该公司设定2027年量产时程。有鉴于美国政府提升美国制造重要性，特别是半导体领域生产需求，市场解读，这项合作更是联电追求成本效益产能扩张及技术升级的重要策略，目前进展顺利，对其商机持乐观态度，并肯定联电12nm技术的竞争力。

在先进封装技术方面，联电利用晶圆级混合键合技术（W2W hybrid bonding）实现尺寸微缩，已完成产品验证，预计于今年进入量产；在边缘AI方面，与供应链建立W2W 3D IC项目，进入逻辑芯片与客制化內存的异质整合验证；并成功在硅中介层加入深沟槽电容（Deep Trench Capacitor，DTC），为2.5D封装芯片提供电源完整性，已完成产品验证并进入试产。

联电去年资本支出约29亿美元，主要用于台南Fab 12A、新加坡Fab 12i与中国Fab 12X的产能扩充，及各厂产品组合的优化。联电强调，多元制造基地布局，成为该公司在地缘政治复杂变化中的竞争优势，台湾、新加坡、日本和中国大陆的生产基地为客户提供弹性供应链选择。

联电去年研发支出156亿元，除了前述12nm平台外，还成功开发22nm图像信号处理器、28奈米嵌入式高压低功耗制程平台及氮化镓元件制程。

此外，值得注意的是，氮化镓射频开关元件制程进入量产，氮化镓射频功率放大器（PA）元件制程及氮化镓650V功率元件制程皆已进入客户产品验证和试产阶段。