总投资120亿元,厦门士兰集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线(一期)建成封顶

总投资120亿元,厦门士兰集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线(一期)建成封顶

2月28日上午,功率半导体大厂士兰微旗下厦门士兰集宏半导体有限公司的8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线项目(一期)工程顺利封顶。

资料显示,厦门士兰集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线项目总投资120亿元。其中,一期项目总投资70亿元,达产后将年产42万片8英寸碳化硅功率器件芯片,预计年产值达67亿元。两期项目建成投产后,将形成年产72万片8英寸碳化硅功率器件芯片的生产能力,为厦门抢占未来产业赛道、加快产业转型升级、发展新质生产力提供有力支撑。

士兰集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线项目总用地面积13.63万平方米,总建筑面积23.97万平方米,分两期建设。一期项目总建筑面积为18.7万平方米,建设内容为一栋主厂房、动力中心、测试中心、废水处理站及配套生产和生活设施。

2024年6月18日,厦门士兰集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线项目正式在厦门市海沧区开工。据中建三局相关负责人介绍,1800余人于2024年11月进场施工,项目工期紧,且所有单体需要同步施工,“22天完成主厂房首块顶板浇筑、71天实现动力站主体封顶、105天达成主厂房全面封顶。”

此次一期工程封顶后,项目将全面进入装修及机电安装阶段等。根据预计,项目一期将在2025年三季度末实现初步通线,2025年四季度试生产并实现产出2万片的目标。

编辑:芯智讯-浪客剑

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