2036年全球车用功率半导体市场将达420亿美元

10月22日，据IDTechEX最新发布的预测报告显示，随着电动汽车市占率持续扩大，产品竞争日益激烈，以碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）为代表的更高性能的功率半导体也被越来越多的车型采用。预计到2036年前，车用功率半导体市场规模将成长三倍之多，达到420亿美元。

报告称，三年前，电动车采用SiC MOSFET（场效晶体管）还可以当做一个卖点来宣传，但现在使用碳化硅的纯电车比比皆是，甚至连插电混动车（PHEV）都开始使用，包含Toyota 与Schaeffler 都宣布推出面向PHEV车型的SiC MOSFET。这代表碳化硅已经进入成熟阶段。

由于碳化硅晶圆供应竞争激烈，许多公司已经扩大量产200毫米的碳化硅晶圆，Wolfspeed 和英飞凌（Infineon）都开始量产推出，并成为小米、理想等中国车厂的供应商，带动碳化硅成为市场主流选项，即使是纯电里程不高的PHEV车型，也都开始选用SiC，可见其成熟度。

紧跟在碳化硅之后，就是消费者已经耳熟能详的氮化镓，现在基于氮化镓的快充充电头也已经是随处可见，它的高功率、高电压特性也准备在电动车市场上发挥所长。

中国长安汽车预计在2027年，推出搭载氮化镓车载充电器的新车，由Navitas 供应元件，功率密度达到每公升6kW，远远高于目前主流车载充电器每公升2kW 的水准。换句话说，在体积相同的情况下，充电功率有可能翻倍提升。

IDTechEX 分析师认为，氮化镓在初期主要会用于车载充电，以及直流变压器上，之后则有包括恩智浦（NXP）、VisIC 等厂商，正在开发氮化镓驱动逆变器，有望取代一部分硅基逆变器和SiC 逆变器。

考虑到成本、开发时程和量产规模等因素，在未来几年，预估会看到更多混合配置的功率半导体组合，运用Si IGBT、SiC MOSFET 和GaN HEMT 并联，可以在兼顾成本的情况下，对应不同负载需求的产品。

当然，在成本考察不那么敏感的产品上，全面采用碳化硅逆变器，是最合理高效的选项，在GaN 获得更具体的商业应用前，SiC 的大量成长，似乎是可以预期的趋势。

编辑：芯智讯-浪客剑