6月11日消息，据外媒tweaktown报道，英伟达（NVIDIA ）委托托三星、SK 海力士和美光等DRAM大厂开发SoCEM 内存模块，但出乎意料的是，美光竟是第一家获得量产批准的公司。

据介绍，SoCEM 是由英伟达构思的一种内存模块，由16个堆叠的LPDDR5X 芯片组成，每4个一组。虽然HBM 是AI GPU 的DRAM，但SoCEM 是一种连接到中央处理器（CPU）的DRAM。尽管SoCEM 连接到掌控整个系统的CPU，但其主要作用是辅助支持，确保AI 加速器达到峰值性能，而SoCEM 预期将纳入英伟达明年发表的下一代AI 加速器Rubin GPU中。

与HBM 通过垂直硅通孔（TSV）的方式连接DRAM 不同，SoCEM 采用“打线接合”（wire bonding）的方式制造，以铜线连接16颗芯片。由于铜的热传导性高，能将每颗DRAM 芯片的发热量降至最低。美光曾宣称其最新低功耗DRAM 的电源效率比竞争对手高20%。

英伟达的下一代AI 服务器预计将配备四个SoCEM 模块。以LPDDR5X 芯片数量计算，相当于256颗芯片。业界认为，美光较晚采用极紫外光（EUV）曝光设备，反而成为了能早于三星与SK 海力士供货的原因。这意味着，美光不像竞争对手轻易以EUV 提升DRAM 性能，而是通过设计结构的创新，在提升內存性能的同时，确保更低的热量产生。

业界正关注SoCEM 技术的扩展性，而且极可能应用于英伟达目前正开发的个人超级电脑“Digits”。若Digits获得广泛采用，那么也有望推动SoCEM 需求将会大幅成长。

值得一提的是，有传闻显示，在今年三星的Galaxy S25 系列旗舰智能手机当中中，美光供应大部分初期的低功耗DRAM，超越三星自家半导体产品，也是美光首次成为三星智能手机的主要內存供应商。此外，美光早在2022年就率先开发出全球首款LPDDR5X，并将其导入iPhone 15 系列。

业界预期，美光将通过其低功耗、低热量产生的技术，进一步扩大其HBM 市占率，因为堆叠的DRAM 芯片数持续增加，而堆叠本身就会带来热的问题。目前三大內存厂商预计下半年开始量产12层堆叠HBM4、明年上半年推出16层堆叠HBM4。

一位设备厂业者透露，虽然美光进入HBM 市场较晚，但凭借其散热管理技术，以及作为美国企业的地缘优势，随时都可能迎头赶上。该公司目前在新加坡、日本广岛、美国纽约，以及中国台湾台中建设HBM 厂，使得公司今年资本支出高达140亿美元，这也令业界猜测是否已经从主要客户取得稳定订单。

编辑：芯智讯-林子