基于新型FeRAM技术的“DRAM+”：提供DRAM性能和类似SSD的存储功能

4月9日消息，据Tom's hardware报道，Ferroelectric Memory 公司（FMC） 已与 Neumonda 联手在德国重新建立所谓的 “DRAM+” 的生产。自从英飞凌（Infineon） 和 Qimonda 在德国开发和生产动态随机存取存储器（DRAM）以来，已经有一段时间了，因为在欧洲构建商用DRAM生产变得无利可图。然而，FMC 和 Neumonda 的新合资企业将专注于针对特定应用的非易失性 FeRAM，他们的共同努力旨在重建一个用于高级内存设计和测试的本地生态系统。

FMC 专注于使用铁电氧化铪 （HfO₂） 创建 “DRAM+” 内存，可以像NAND Flash一样，断电也可保留数据。该技术用非易失性版本取代了 DRAM 中的典型电容器，在保持高性能的同时提高了能效和数据保留。FMC 相信其内存可用于广泛的应用，包括 AI、汽车、消费电子、工业和医疗。

较旧的 FeRAM 技术（通常使用钛酸锆铅或 PZT 作为铁电层）的容量有限。大多数商业产品的最高容量为几兆字节，其中 4MB 或 8MB 很常见。PZT 不能很好地扩展与不断缩小的工艺节点，并且与标准 CMOS 工艺集成既困难又昂贵。因此，像 1T1C（一个晶体管、一个电容器）这样的单元结构比 DRAM 或 NAND 占用更多的面积。

然而，当FeRAM 转向氧化铪则改变了游戏规则。HfO₂ 与 CMOS 兼容，尺寸远低于 10nm，并且可以与现有的半导体制造工艺集成。因此，它的使用可实现更高的密度和性能，可能在‌Gigabit（Gb）和Gigabyte（GB）的范围内，使其更接近 DRAM。

“FMC 的成立是为了利用 HfO2 的铁电效应这一颠覆性发明来实现半导体存储器。应用于 DRAM，它将 DRAM 电容器转变为低功耗、非易失性存储设备，同时保持高 DRAM 性能，以产生非常适合 AI 计算的颠覆性非易失性 DRAM 内存，“FMC 首席执行官 Thomas Rueckes 解释道。“由于我们的技术在市场上独树一帜，因此对我们的内存产品进行经济高效的测试对于我们的产品非常重要。借助 Neumonda 及其全新的测试方法，我们找到了一个可以帮助我们加快产品开发的合作伙伴。我们也很高兴能与 Neumonda 合作，因为我们有着共同的愿景，即将存储技术带回欧洲。”

Neumonda 将通过咨询和提供对其高级测试系统（Rhinoe、Octopus 和 Raptor）的访问来支持 FMC。这些平台专为低成本、高能效和独立的内存测试而设计。Neumonda 的系统提供传统设备无法实现的详细分析，并且运行成本显著降低。

编辑：芯智讯-浪客剑