黄仁勋：GAA晶体管技术将为英伟达新一代GPU带来20%性能提升

3月28日消息，根据外媒Tom’s Hardware的报导，GPU大厂英伟达（NVIDIA）CEO黄仁勋日前在GTC 2025大会访谈中表示，依靠环绕栅极（GAA）晶体管的下一代制程技术，其可能会为英伟达GPU带来20%的性能提升。而这里黄仁勋所说新一代GPU，就应该是指预计在2028年推出的Feynman了。

报道称，黄仁勋在回答中似乎淡化了制程节点变化的重要性，强调摩尔定律的放缓代表着未来全新的制程技术在密度、功率和/或能效方面的改进有限，预计只会带来20%左右的改进。他还表示，尽管先进制程技术带来的改进值得欢迎，但它们已不再具有变革性。黄仁勋强调，我们会接受它，但其他因素更为重要。尤其，随着人工智能系统的规模扩大，管理大量GPU的效率变得比每个GPU的原始性能更重要。

按照惯例，英伟达通常不会首先采用抬积电最新制程节点制程，而会选择次新的尖端制程技术。例如，目前英伟达正在使用台积电的4nm制程技术来生产针对消费等级，以及数据中心的Ada Lovelace、Hopper 和Blackwell等构架GPU，而台积电4nm节点制程本质上是5nm节点制程的改良版。而英伟达的下一代GPU构架RuBin，其计划是采用台积电3nm节点制程，可能是N3P或者是针对英伟达的订制化版本。因此，英伟达首款采用GAA制程技术的产品则应该是在2028年预计推出的Feynman构架上。

台积电预计首款采用GAA技术的N2节点制程将比N3E性能提高10%到15%，当然黄仁勋并没有提及会采用哪家的GAA制程技术。所以，理论上台积电N2制程技术，还是三星的2nm技术，甚至是Intel 18A都有其可能姓。而且英伟达大概不会使用新制程的第一代技术，所以Feynman更可能会使用N2的改进版N2P，以提高性能、降低电阻并稳定电力输送。此外，台积电预计N2P和A16节点制程都在2027年投产，其A16节点制程将增加背面供电功能，性能会比N2提升8%至10%。

报导强调，如果英伟达在Feynman GPU上使用N2P或者A16节点制程，预计将会比采用N3P节点制程的Rubin GPU每瓦性能提高20%，实际性能提升可能更高。不过，考虑到目前AI计算的巨大需求，英伟达似乎更倾向追求最高性能，而不是达到最佳能耗。

编辑：芯智讯-林子