支持在CPU/GPU上堆叠HBM内存，三星SAINT-D封装技术今年商用

6月18日消息，据《韩国经济日报》报道，三星将于今年推出高带宽内存 (HBM) 的 3D 封装服务，该报道援引了三星日前在美国圣何塞举行的 2024 年三星代工论坛上的声明以及“业内消息人士”的说法，三星 3D 封装技术基本上将为2025 年底至 2026 年的HBM4集成铺平道路。

对于 3D 封装，三星此前就曾推出了一个名为 SAINT（三星先进互连技术）的平台，其中包括三种不同的 3D 堆叠技术：用于 SRAM 的 SAINT-S、用于逻辑的 SAINT-L 和用于在CPU或GPU等逻辑芯片之上堆叠 DRAM 的 SAINT-D 。

其中，三星在2022年正式宣布推出 SAINT-D 之后，已经研发了数年，预计今年将正式商用，这将是全球最大内存制造商和领先代工厂的一个重要里程碑。

三星的新型 3D 封装方法涉及将 HBM​​ 芯片垂直堆叠在处理器顶部，这与现有的通过硅中介层水平连接 HBM 芯片和 GPU 的2.5D 技术不同。这种垂直堆叠方法消除了对硅中介层的需要，但需要使用复杂的工艺技术制造的用于 HBM 内存的新基片。

3D 封装技术为 HBM 提供了显著的优势，包括更快的数据传输、更清晰的信号、更低的功耗和更低的延迟，但封装成本相对较高。三星计划以交钥匙服务的形式提供这种先进的 3D HBM 封装，其内存业务部门生产 HBM 芯片，代工部门为无晶圆厂公司组装实际的处理器。

目前尚不清楚的是，三星今年计划用 SAINT-D 提供什么产品。将 HBM​​ 放在逻辑芯片上需要适当的芯片设计，目前尚不清楚还有其他公司将 HBM​​ 放在其他芯片顶部，并计划于 2024 年至 2025 年上半年推出。

展望未来，三星的目标是到 2027 年推出一体化异构集成技术。这项技术将实现两层逻辑芯片、HBM 内存（在中介层上）甚至共封装光学器件 (CPO) 的集成。

编辑：芯智讯-林子