SK海力士HBM3e良率已接近80%

5月23日消息，据英国《金融时报》报道，SK海力士高层Kwon Jae-soon近日向其透露，SK海力士的HBM3E良率接近80%，生产效率也明显提升。

相较标准DRAM产品，HBM制造过程牵涉DRAM层间建立TSV硅通孔和多次芯片键合，复杂程度直线上升。一层DRAM出问题，就让整个HBM堆叠报废。故HBM生产必须更谨慎，提升效率也更难。八层至12层堆叠HBM3E天生良率就落后标准DRAM。

此前韩媒DealSite曾于3月报道称，SK海力士的HBM良率仅约65%。现在SK海力士的HBM良率提高到80%，显示良率有明显改进。

Kwon Jae-soon也提到，SK海力士已将HBM3E生产周期减少50%。更短产期代表更高效率，英伟达等下游客户货源更充足。他也再次确认SK海力士今年重点是生产八层堆叠HBM3E，因目前是客户需求大宗。Kwon Jae-soon强调，人工智能时代，提高产量对保持领先地位越来越重要。

编辑：芯智讯-林子