受HBM3e产出放量带动，今年底HBM投片量将占DRAM原厂先进制程总产能35%

5月20日消息，据TrendForce研究，三大DRAM原厂开始提高先进制程投片，继DRAM合约价上涨后，原厂资金增加，产能提升将集中在今年下半年。其中，1 alpha纳米以上投片至年底将占DRAM总投片比重约40%。

由于HBM获利表现好，加上需求持续看增，故生产顺序最优先。但受限良率仅约50%~60%，且晶圆面积较DRAM产品放大逾60%，即占投片比重高。以各家TSV产能看，至年底HBM将占先进制程产能的35%，其余生产LPDDR5（X）与DDR5产品。

以HBM最新发展进度看，TrendForce表示，今年HBM3e是市场主流，集中下半年出货。SK海力士（SK Hynix）仍是主要供应商，与美光（Micron）均采1 beta纳米制程，两家业者已出货英伟达（NVIDIA）；三星（Samsung）则采1 alpha纳米制程，预计第二季完成验证，年中交货。

DDR5、LPDDR5（X）渗透率增加，消耗更多先进制程产能

除了HBM需求占比持续增加，PC、服务器、智慧手机三大应用单机搭载容量增长，故先进制程消耗量也逐季提升，又以服务器的容量提升最高，主要受惠单机容量1.75TB的AI服务器带动。英特尔、AMD新平台Sapphire Rapids、Genoa量产后，內存规格仅能用DDR5，今年DDR5渗透率至年底逾50%。

同时HBM3e出货集中下半年，同属內存需求旺季，DDR5与LPDDR5（X）市场需求也看增。但受2023年亏损压力影响，原厂产能扩张计划也较谨慎。整体而言，HBM投片比重扩大下，使先进制程产出有限，下半年产能配置是供给是否充足的关键。

受HBM排挤，若先进制程扩产不足，DRAM产品恐供不应求

新厂规画方面，三星厂房2024年底产能大致满载，新厂房P4L规划2025年完工，Line 15厂区制程转换，1 Y奈米转至1 beta奈米以上。SK海力士除了M16明年产能扩大，M15X亦规划2025年完工，年底量产。美光台湾厂区明年恢复满载，后续产能扩张以美国厂为主，Boise厂区2025年完工并陆续移机，2026年量产。

TrendForce表示，尽管三大厂新厂2025年陆续完工，但部分厂房量产时程尚未明确规划，需看今年获利，才能持续扩大采购机台，形成三大厂坚守內存价格今年涨势。

NVIDIA GB200于2025年放量，规格为HBM3e 192 / 384GB，HBM产出将近翻倍，且紧接各原厂研发HBM4，若投资没有明显扩大，各家产能规划皆以HBM为优先，产能排挤效应下，DRAM产品恐有供应不及的可能性。