5月16日消息，据台媒报道，晶圆代工大厂台积电近期分享了其3nm（N3）家族的最新进度，相对于N3E来说，N3P将进一步提高性能效率和晶体管密度，目前的良率也已经接近N3E，将按原订计划于今年下半年投产。

据介绍，最初的N3（又名N3B）生命周期较短，苹果是唯一主要客户。N3E制程为N3B宽松版本，取消一些EUV层，也牺牲一些晶体管密度，但有助于降低生产成本，并扩大制程窗口（process window）和良率。N3E已按计划于去年第四季开始量产，目前N3E的D0缺陷密度与N5相当，已经有多家大客户采用，相关客户产品都有出色产量表现。对台积电客户来说，他们都能相对较快地从改进制程中获益。

至于计划今年下半年量产的N3P制程，台积电表示，N3P已经完成认证，良率表现已接近N3E。在相同漏电率下，N3P制程能提高4%性能，或在相同主频下功耗降低9%，整体晶体管密度提高了4%。

由于N3P是N3E光学微缩版，IP模块、制程规则、电子设计自动化（EDA）工具和设计方法等都与前者兼容，因此台积电预计大多数新推出的芯片Tape-Out将使用N3P，而非N3E或N3，因为N3P成本比N3低，性能效率却比N3E高。

台积电高管指出，目前已成功交付N3P技术，也通过认证，良率、性能接近N3E。该技术也获得产品客户下线，预计下半年开始生产。由于N3P的优势，预期N3上大部分客户的新产品将转至N3P制程。

编辑：芯智讯-浪客剑