台积电A16制程为何不用High NA EUV光刻机？

5月16日消息，此前英特尔已宣布完成了业界首台商用的高数值孔径（High NA）EUV光刻机的组装工作，并且有消息显示英特尔已经包下了ASML今年全部的High NA EUV光刻机的产能，但是相比之下，台积电却对于应用High NA EUV光刻机并不积极，其最新公布的A16（1.6nm）制程并不会采用该设备。

近日台积电业务开发资深副总经理张晓强表示，虽然对High NA EUV能力印象深刻，但设备价格过高（超过3亿欧元），因此台积电将使用目前的常规EUV设备再延续几年技术，包括A16制程。

张晓强指出，每个High NA EUV光刻机的成本预计将超过 3.5 亿欧元（3.78 亿美元），而 ASML 常规 EUV光刻机的成本为 2 亿欧元。台积电依靠现有EUV能力可支持芯片生产到2026年底，届时A16制程技术将根据目前路线图推出。

据介绍，A16将结合台积电的超级电轨（Super PowerRail）构架与纳米片晶体管，预计于2026年量产。相较于N2P制程，A16在相同Vdd（工作电压）下，速度增快8-10%，在相同速度下，功耗降低15-20%，芯片密度提升高达1.10倍，以支持数据中心产品。

而英特尔为了实现在制程工艺上领先台积电目标，正非常积极的尝试最新的High NA EUV光刻机，预期将会被用于Intel 14A制程的量产。而预计在2025年商用的Intel 18A仍将继续采用常规的Low NA EUV光刻机，以达到最佳的制程技术平衡与成本效益。

英特尔表示，High-NA EUV可减少掩膜数量，提高分辨率并简化芯片制造制程。掩膜包含芯片设计，旧款机器需要依赖更多掩膜，来产生更高分辨率的芯片。

编辑：芯智讯-浪客剑