SK海力士下一代HBM将采用Hybrid Bonding技术

12月19日消息，据韩国媒体Business Korea报道指出，韩国产业官员于18日透露，SK海力士在今年度的IEEE国际电子元件会议（IEDM 2023）中宣布，已确保HBM制造中使用混合键合制程的可靠性。

SK海力士报告称，其第三代HBM（HBM2E）采用的是8层堆叠DRAM，使用混合键合制程后，通过了所有可靠性测试。SK海力士还评价了HBM在高温下的使用寿命，检查产品出货后客户在芯片黏合过程中可能出现的潜在问题。

混合键合被视为HBM产业的“梦幻制程”，目前HBM主要使用微凸块（micro bumps）材料连接DRAM晶圆，但通过混合键合技术，芯片可在不使用凸块的情况下进行连接，而微凸块消失后也能大幅降低芯片的厚度。

目前HBM芯片的标准厚度为720µm，SK海力士预计2026年量产第六代HBM（HBM4），需要垂直堆叠16个DRAM，这对目前封装技术是一大挑战，因此业界认为下一代HBM制程必然会使用到混合键合制程。

SK海力士已经打算将混合键合技术应用到HBM4产品中，虽然这次是在第三代产品上测试，规格比HBM4低，DRAM层数也只有一半，但在展示混合键合的潜质极具意义。

SK海力士今年在第五代HBM制造中率先导入了MR-MUF（Mass Reflow Molded Underfill，批量回流模制底部填充）的技术，以维持其在HBM产业的领先地位。

编辑：芯智讯-林子