ASML：将按计划在年底推出首款High NA EUV光刻机

9月6日消息，据路透社报导，全球光刻机大厂ASML CEO Peter Wennink表示，尽管有些供应商遇到了一些阻碍，但今年年底将照计划推出下一代的High NA（高数值孔径）EUV产品线的首款产品。

△ASML首个High-NA EUV光刻系统

由于EUV光刻系统中使用的极紫外光波长（13.5nm）相比DUV 浸入式光刻系统（193 nm）有着显着降低，多图案 DUV 步骤可以用单次曝光 EUV 步骤代替。可以帮助芯片制造商继续向7nm及以下更先进制程工艺推进的同时，进一步提升效率和降低曝光成本。

目前，EUV光刻机可以支持芯片制造商将芯片制程推进到3nm制程左右，但是如果要继续推进到2nm制程甚至更小的尺寸，就需要更高数值孔径（NA）的High-NA光刻机。

相比目前的0.33数值孔径的EUV光刻机，High-NA EUV光刻机将数值孔径提升到0.55，可以进一步提升分辨率（根据瑞利公式，NA越大，分辨率越高），从0.33 NA EUV的13nm分辨率提升到0.55 NA EUV的低至8nm分辨率（通过多重曝光可支持2nm及以下制程工艺芯片的制造）。

目前，台积电、三星、英特尔等头部的晶圆制造厂商也正在大力投资更先进的3nm、2nm技术，以满足高性能计算等先进芯片需求。而ASML新一代的高数值孔径 High-NA EUV光刻机也就成为了争夺的关键。

英特尔此前曾对外表示，其将率先获得业界第一台High-NA EUV光刻机。根据英特尔的规划，其将在2024年率先量产Intel 20A和Intel 18A工艺，届时或将有部分利用High-NA EUV光刻机。

2022年9月，台积电研究发展资深副总经理米玉杰也对外表示，台积电将在2024年取得ASML新一代High-NA EUV光刻机，为客户发展相关的基础设施与架构解决方案。台积电业务开发资深副总经理张晓强则表示，2024年取得设备后，初期主要用于与合作伙伴共同研究，尚不会量产。具体的量产将会是在2025年。

2022年4月，ASML曾披露，其位于 Veldhoven 的新洁净室中已经开始集成第一个High-NA EUV光刻系统（EXE:5000）。2022年第一季度收到了多个EXE:5200系统（量产版High-NA EUV光刻系统）的订单，2022年4月还收到了额外的EXE:5200 订单。ASML当时确认，已收到了来自三个逻辑厂商和两个存储厂商的 High-NA EUV订单。显然，这里提到的三个逻辑晶圆厂应该是英特尔、台积电和三星，两个存储晶圆厂可能是三星和SK海力士。

对于High-NA EUV光刻系统的商用，Peter Wennink此前也表示，2024年，ASML的High-NA EUV光刻系统将首次应用于晶圆厂，计划在2026年至2027年之间的某个时间点批量生产该设备，并将尽可能扩大其生产能力，预计到2027-2028年，High-NA EUV光刻系统的年产能将达到20个。

价格方面，ASML每台设备的价格将在3亿至3.5亿欧元之间。显然这个价格非常的高昂，达到了目前在售的EUV光刻机的2倍。但是对于正在先进制程领域激烈竞争的头部晶圆厂来说，他们将别无选择。

编辑：芯智讯-浪客剑