美国公司公布3D X-DRAM技术：230层堆栈，容量提升8倍！

5月5日消息，全球NAND Flash闪存早已经进入3D时代，这也使得其容量比相比2D时代得到了大幅的提升，但成本却并没有提高多少。相比之下，DRAM内存还停留在2D，需要大容量DRAM就需要支付更多的成本。近日，美国NEO半导体公司宣布推出了全球首款3D DRAM，旨在解决内存容量瓶颈，容量追上SSD不是问题。

据了解，NEO是美国一家存储芯片技术公司，此前就宣布推出3D X-NAND闪存，号称解决了TLC、QLC闪存的性能及耐用性问题，这次公布的3D X-DRAM技术又号称是全球首款3D DRAM技术，可以将DRAM带入3D时代，要做DRAM行业的游戏规则改变者。

据介绍，3D X-DRAM技术的思路跟3D NAND Flash类似，都是通过堆栈层数来提高内存容量，类似于3D NAND Flash芯片中的FBC浮栅极技术，但增加一层Mask光罩就可以形成垂直结构，因此良率高，成本低，密度大幅提升。

NEO公司承诺，2025年推出的第一代3D X-DRAM就可以做到230层堆栈，核心容量128Gb，而当前2D DRAM内存的核心容量还在16Gb，实现了8倍容量。

此外，NEO公司还提出了每10年将3D X-DRAM容量提升8倍的目标，预计到2035年的时候将推出1Tb核心容量的3D X-DRAM，相比现在总计64倍容量提升。按照NEO的说法，未来的内存不仅轻松TB容量起步，追上SSD硬盘也很容易，要知道当前3D闪存的核心容量也就512Gb到1Tb。

不过NEO公司的问题在于他们自己没有晶圆厂，因此3D X-DRAM投入生产还要靠合作，他们计划寻找授权厂商，包括三星、SK海力士、美光、西数、铠侠等都有可能。

编辑：芯智讯-林子