总投资30亿元的IGBT模块设计封测项目落户无锡

近日,无锡锡山乡贤发展大会举行。大会上,总投资357.5亿元的24个项目集中签约,涉及集成电路、生物医药、高端装备、电子信息等产业领域,包括IGBT模块设计封测项目、半导体封测设备项目等。


来源:锡山经济技术开发区

据微信号“锡山经济技术开发区”报道,IGBT模块设计封测项目总投资30亿元,投资方是国内最头部IGBT企业,自主研发的工业级IGBT大规模量产,车规级IGBT成功流片并交付测试,品质与英飞凌相当;立足于高端Cool MOS、硅基GaN器件等技术研发。

据悉,该项目一期需用地60亩,用于建设功率半导体封装与设备产线,二期需用地40亩,用于后续8寸产线建设,项目总投资30亿元,估值20亿元,已与大洋电机、中芯国际达成战略合作,五年开票超21亿元,计划2022年启动IPO。

而伊瑟电子半导体封测设备项目注册资本12000万元,总投资估值6亿元,伊瑟电子在苏州、深圳以及台湾均设有工厂,此次拟将项目总部设在无锡,团队源自台湾知名大学的博士、硕士,项目聚焦功率半导体设备及CIS设备,估值6亿元,三年开票超6亿元,计划2024年启动科创板。

据悉,伊瑟电子已与富士通、士兰微、英飞凌等达成战略合作,客户包括华润、华天科技、中天科技等。

来源:全球半导体观察

0

付费内容

查看我的付费内容