遭印度追缴5.2亿美元税款，三星提出上诉称未获公平听证机会
5月7日消息，三星电子近日对印度税务部门追缴5.2亿美元(约合37.61亿元人民币)税款的决定提出异议，并已向孟买的海关、消费税及服务税上诉法庭提起申诉。三星电子在申诉中强调税务部门的决定过于仓促，且在相关程序中未获得公平的听证机会。
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三星已提前开始量产12层堆叠HBM3E，对通过英伟达认证信心十足
5月6日消息，据韩国媒体ZDNet Korea报导，三星电子已在2025年2月份左右开始全面量产12层堆叠的HBM3E 高带宽內存，但至今仍未通过GPU大厂英伟达的认证，无法向英伟达供货。所以，三星量产12层堆叠HBM3E可谓是冒着积累大量库存风险。
传AMD取消三星4nm订单，转投台积电美国晶圆厂
5月6日消息，据外媒Wccftech报道，由于三星尖端制程良率偏低，以及美国特朗普政府关税政策影响，处理器大厂AMD可能已经取消了三星4nm制程订单，进而转向了向台积电美国亚利桑那州晶圆厂下单。
三星放弃Exynos 2500处理器导致4亿美元亏损
5月6日消息，据外媒wccftech报道，三星今年年初发布的年度旗舰智能手机Galaxy S25系列由于放弃搭载自研的Exynos 2500芯片，这可能将造成三星约4亿美元的亏损。
传三星拿下小部分高通骁龙8 Elite Gen 2 代工订单
5月2日消息，据韩国《首尔经济日报》报导，移动处理器大厂高通（Qualcomm）公司2025年下半年即将推出全新的第二代骁龙8至尊版移动处理器（Snapdragon 8 Elite Gen 2），预计将会由台积电利用其新一代的3nm制程N3P代工。不过，最新的市场传闻显示，三星成功拿到了小部分的第二代骁龙8至尊版处理器代工订单，将采用其2nm制程代工。
三星HBM3E欲打入英伟达供应链，传6月将最终验收
4月30日消息，据韩国媒体TheElec报道，韩国半导体巨头三星电子受限于传统DRAM市场激烈的价格竞争，面临获利停滞不前的窘境，因此寄望于在HBM市场进行突围。三星HBM3E将于今年6月接受英伟达（NVIDIA）最终考核，力拼打入英伟达供应链。
为赶超SK海力士，三星计划三年内量产V-DRAM
4月28日消息，据韩国媒体 sedaily 报导，三星电子已确定将在三年内量产被称为次世代內存的“垂直信道晶体管（VCT）DRAM”的蓝图。外界解读，三星有意比竞争对手SK海力士更早一个世代成功量产，以挽回“超级差距”的地位。
三星美国晶圆厂已接近完工，但却迟迟不采购设备
4月23日消息，据韩媒《朝鲜日报》报导，三星的晶圆代工部门的尖端制程至今尚未吸引到大客户，已经连续多个季度亏损，这也使得生产和营运成本相对较高的三星美国德克萨斯州泰勒市投资建设的4nm晶圆厂进度被延后。
传三星HBM4的逻辑Base Die测试良率已超40%
据《朝鲜日报》报道，此前在HBM技术竞争中落后的三星电子，其在HBM4 12层 技术的开发和制造方面已经取得了巨大进展，其为HBM4开发的基于其4nm逻辑制程的Logic die 的测试良率已超过40%。
美国将对半导体加征关税：三星、SK海力士压力山大
4月14日消息，据韩国媒体《朝鲜日报》报道 ，随着美国总统特朗普即将启动对半导体加征关税政策，这或将对三星电子、SK海力士、美光科技等存储芯片大厂带来冲击。
三星推出旗下首款车载UWB芯片Exynos Auto UA100
4月14日消息，三星半导体近日发布了旗下首款车载超宽带（UWB）芯片Exynos Auto UA100，可为汽车提供优化的连接和先进的测距技术，并通过强大的安全功能保护您的车辆。
DeepX计划将新一代NPU芯片DX-M2交由三星2nm代工
4月12日消息，韩国芯片设计厂商DeepX 计划利用三星最新的2nm制程工艺生产一款功耗为 5W 的边缘 AI 芯片DX-M2。DeepX 还在考虑推出小芯片版本。
