三星与SK海力士将采用1c DRAM打造新一代HBM4
5月20日消息，据韩国 ZDNet援引的最新行业消息称，韩国存储芯片大厂三星和 SK 海力士正计划使用1c制程的DRAM来开发下一代的HBM4内存。
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传三星HBM3E未通过英伟达验证，原因或与台积电有关
存储芯片大厂美光、SK海力士和三星分别于2023年7月底、8月中旬、10月初向英伟达（NVIDIA）送去了八层垂直堆叠的24GB HBM3E样品以供验证，随后在2024年初，美光和SK海力士的HBM3E都通过英伟达的验证，并获得了订单，三星HBM3E却并未通过验证。
三星、SK海力士将止供应，DDR3价格大涨20%
5月13日消息，据《经济日报》报道，全球前两大DRAM供应商韩国三星电子和SK海力士正全力发展高带宽內存（HBM）与主流DDR5规格內存，今年下半年起将停止供应DDR3 DRAM，引发市场抢货潮，导致近期DDR3价格大涨，最高涨幅达20%，且下半年报价可能还会继续上涨。
2025年HBM价格将上涨约5%~10%，在整个DRAM市场的产值占比将超30%
5月6日消息，根据市场研究机构TrendForce的最新报告显示，受益于HBM（高带宽内存）销售单价较传统型DRAM高出数倍，即使相比DDR5价格差距也达到了约五倍，加上AI芯片相关产品的持续升级，也使得对于HBM容量需求增加，这将促使2023~ 2025年HBM的产能级产值在整个DRAM市场当中的比重将持续提升。
韩媒：英伟达疑煽动三星、SK海力士竞争，以压低HBM价格
据韩国媒体BusinessKorea近日报道，在人工智能芯片对于高带宽内存HBM需求的推动下，自2023年以来，第三代的HBM3的报价已经上涨超过5倍。这对于英伟达等AI芯片大厂来说，所需的关键HBM价格大涨，势必会影响其AI芯片的成本。
SK海力士一季度营收暴涨144.3%，增速创14年新高
4月25日，韩国半导体巨头SK海力士（SK hynix）公布了2024年一季度财报。受益于AI推动存储芯片需求增长以及存储芯片价格的触底反弹，SK海力士一季度营收翻倍，获利更是创下了史上同月次高。
台积电拿下SK海力士HBM4先进封装大单
4月19日，韩国存储芯片大厂SK海力士宣布，近期已与晶圆代工大厂台积电签署了一份谅解备忘录（MOU），双方将合作生产下一代HBM，并通过先进的封装技术提高逻辑和HBM的集成度。SK海力士计划通过这一举措着手开发将于2026年开始量产的HBM4，即HBM系列的第六代产品。
SK海力士一季度营业利润有望突破2万亿韩元
4月17日消息，据韩国媒体BusinessKorea报道，鉴于人工智能热潮所带来的内存需求增长，分析师看好存储芯片大厂SK海力士（SK hynix）一季度的营业利润有望挑战2万亿日元，扭转去年同期亏损的局面。
三星NAND晶圆投片量趋于保守，产能利用率维持在60%以下
4月17日消息，据韩国媒体《朝鲜日报》报道，三星电子今年一季度在韩国平泽和中国西安NAND Flash闪存生产线的晶圆投片量，相较上一季将提升了约30%。不过，三星方面对进一步的增产仍然保持谨慎态度，希望避免影响到NAND Flash的价格涨势。
SK海力士25亿元出售无锡晶圆代工厂？
4月12日消息，近日有业内自媒体发文称，“SK海力士无锡代工厂25亿元出售”，无锡产业发展集团拟通过增资及股权转让方式收购SK海力士系统集成电路(无锡)有限公司49.9%的股权，合资合同已进入敲定阶段。
