SK海力士将采用东京电子新刻蚀设备，在零下70度制造400层以上3D NAND

5月7日消息，综合外媒The Elec、tomshardware报道，SK海力士正在测试日本半导体设备大厂东京电子（TEL）最新的低温蚀刻设备，可以在-70°C工作，以实现400层以上新型3D NAND。

报道称，东京电子的低温蚀刻设备可以在-70°C的冷却温度下运行，这与当前蚀刻工艺的0°C至30°C范围形成了鲜明对比，使得其“刻蚀深孔”的速度达到了传统刻蚀设备的三倍（能够在33分钟内以高纵横比进行10µm深的蚀刻），这一能力将有助于具有400多个有源层的3D NAND的制造，并重塑3D NAND器件的生产时间表和输出质量。

当谈到生产3D NAND时，有些人可能会说“蚀刻垂直孔”很简单，但事实并非如此。事实上，蚀刻具有良好均匀性的深存储器沟道孔是一个挑战，这就是为什么该行业对3D NAND采用了双堆叠甚至三堆叠（构建两个或三个独立的堆叠，而不是一个具有“深”沟道孔的堆叠）。

SK海力士的321层3D NAND产品据说采用了三层堆叠结构。随着东京电子新低温蚀刻设备的采用，将使得在单堆叠或双堆叠中构建400层3D NAND器件成为可能，这也意味着更高的生产效率。未来超过400层的产品是否会过渡到单层或双层的决定将取决于该工具的可靠性以及它是否能够始终如一地再现其结果。

东京电子低温刻蚀设备的一个显著环境优势是使用氟化氢（HF）气体，其全球变暖潜能值（GWP）小于1。与传统使用的全氟化碳（如四氟化碳（CF4）和八氟丙烷（C4F8））相比，这是一个显著的减少，它们的全球升温潜能值分别为6030和9540。因此，东京电子新的低温刻蚀设备的潜在采用反映了行业朝着更环保的制造实践发展的趋势。

据了解，目前SK海力士已经将测试晶圆送往日本的东京电子实验室，以便SK海力士无需将实际设备运送并安装到其晶圆厂就能有效地评估该技术的潜力。而三星电子正在同时通过进口该设备的演示版本来评估相同的技术。这些测试的结果将决定半导体制造中低温蚀刻技术的未来采用和潜在的标准化。

编辑：芯智讯-浪客剑