5月16日消息，韩国存储芯片大厂SK海力士在今年的IEEE IMW国际存储研讨会上，透露了HBM4E內存开发周期已缩短到一年，也介绍更多细节。SK海力士技术人员Kim Kwi Wook表示，SK海力士正在基于第六代10nm级1c制程32Gb DRAM裸片构建HBM4E內存。

目前三大内存芯片厂商均尚未量产第六代10nm级1c制程DRAM內存颗粒，但三星、SK海力士首批六代10nm级1c制程DRAM预定于今年量产。相比之下，美光要到2025年才量产，新DRAM內存颗粒有望使密度和能效更改进。

据了解，SK海力士已经量产的HBM3E采用的是第五代10nm级1b制程DRAM，尚未确认HBM4是否更新DRAM裸片制程。

据韩媒The Elec报导，SK海力士将HBM4量产时间提前到2025下半年，沿用第五代10nm级1b制程更符合研发节奏。

目前主流的HBM3E产品均采24Gb DRAM颗粒，HBM3E可因八层堆叠达24GB单堆叠容量，如果12层堆叠，HBM3E堆叠后容量可达36GB。将来HBM4E更新到32Gb DRAM裸片后，12层堆叠就能达48GB单颗容量，16层版更是可以达到64GB的超大容量，为AI创造更多的可能应用的场景。

Kim Kwi Wook预计，HBM4E內存可较HBM4带宽提升40%、密度提升30%，同时能效也提高30%。谈到混合键合看法，Kim Kwi Wook认为目前仍有良率不佳问题，SK海力士下代HBM4采用混合键合可能性不大。

编辑：芯智讯-林子