涉嫌泄露价值32亿美元的商业机密，两名前三星员工被捕
9月11日消息，据外媒Tom’s Hardware报道，韩国警方近日逮捕了两名前三星高管，他们涉嫌向中国泄露价值 32 亿美元的三星公司机密。
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SK海力士推出全新数据中心SSD，2025年第二季度量产
9月11日，韩国存储大厂SK海力士宣布，成功开发了一款适用于数据中心的高性能固态硬盘PEB110 E1.S（PEB110）。SK海力士表示，PEB110采用第五代PCIe，数据传输速度达到32 GT/s，能效也提升30%以上。
2024年二季度NAND Flash平均售价环比增长15%
随着NAND Flash出货量及价格的上涨，从第二季起所有NAND Flash供应商也已经回到了获利状态，在第三季产能扩大，以应对AI和服务器的强劲需求，不过PC和智能手机上半年销售预计仍不如预期，可能难以进一步推升NAND Flash出货量。TrendForce预计，第三季NAND Flash全产品平均销售单价将环比小幅增长5%~10%，位元出货量则因旺季不旺将至少环比下滑5%，整个NAND Flash产业营收大致与上一季度持平。
三星正与台积电联手开发HBM4
9月9日消息，据《韩国经济日报》报道，台积电生态系统和联盟管理负责人 Dan Kochpatcharin上周在 Semicon Taiwan 2024 论坛上表示，三星和台积电正在联手生产无缓冲高带宽内存 （HBM）。
2024年上半年三星、SK海力士在华营收增长超过100%
9月5日消息，据《朝鲜日报》日文版4日报导，受益于存储芯片市场需求增长及价格上涨，韩国存储芯片大厂三星电子和SK海力士今年上半年（1-6月）在中国市场的营收都实现了倍增。
SK海力士：9月底量产12层HBM3E
9月4日，在Semicon Taiwan 2024展会期间，SK海力士总裁Kim Ju-Seon（Justin Kim）以“释放AI內存技术的可能性”为题，分享SK海力士现有DRAM产品和HBM相关产品。同时，他还宣布SK海力士将于本月底量产12层HBM3E，开启HBM关键战场。
三星HBM4将采用Logic Base Die和3D封装
9月4日，在台北举行的“Semicon Taiwan 2024”展会上，三星电子存储器事业本部部长李正培（Jung-Bae Lee）作为主题演讲嘉宾，介绍了三星的HBM优势。
SK海力士：HBM5将转向3D封装及混合键合技术！
9月3日，在SEMICON Taiwan 2024 展会期间的“异质整合国际高峰论坛”上，SK 海力士封装（PKG）研发副社长李康旭（Kangwook Lee）以“准备AI 时代的HBM和先进封装技术”为题，分享了SK 海力士最新的HBM技术。
SK海力士推出1c制程16Gb DDR5 DRAM
8月29日，存储芯片大厂SK海力士宣布，全球首次成功开发出采用第六代10nm级（1c）工艺的16Gb（Gigabit，千兆比特）DDR5 DRAM。由此，公司向世界展现了10nm级的超微细化存储工艺技术。
传三星将于2025年初提供HBM4样品
8月23日消息，据外媒Thelec援引业内消息人士的话报道称，三星将在今年晚些时候推出其首批HBM4芯片，并将于2025年初开始提供样品，2025年底开始大规模量产。
SK海力士开发下一代HBM标准，性能将提高30倍
8月21日消息， 在SK Icheon Forum 2024论坛上，存储芯片大厂SK海力士副总裁Ryu Seong-su宣布，该公司正计划开发一种新的HBM内存标准，该标准将比现代HBM产品快最多30倍，以期在竞争激烈的HBM市场中获得领先地位。
三星、SK海力士高管遭遇降薪，上半年降幅达30%
8月16日消息，据《韩国先驱报》报道，在遭遇了去年存储芯片市场需求下滑、业绩大跌之后，虽然今年存储芯片市场全面回暖，但是韩国高薪资的存储芯片企业三星电子、SK海力士的高管目前仍面临大幅减薪的窘境，减幅达20~30%。
