SK海力士开发下一代HBM标准,性能将提高30倍

SK海力士提出开发下一代HBM内存标准,性能比当前第一代提升30倍

8月21日消息, 在SK Icheon Forum 2024论坛上,存储芯片大厂SK海力士副总裁Ryu Seong-su宣布,该公司正计划开发一种新的HBM内存标准,该标准将比现代HBM产品快最多30倍,以期在竞争激烈的HBM市场中获得领先地位。

“我们的目标是开发性能是当前 HBM 的 20 到 30 倍的产品,重点推出差异化产品。”SK海力士副总裁 Ryu Seong-su说道。不过,Ryu Seong-su并未透露其所提及的下一代HBM是否是HBM4,对比的又是哪款HBM。

SK海力士的目标是通过在其产品中集成先进的功能来主导HBM领域,这意味着该公司正朝着HBM4产品所预期的巨大创新迈进。HBM4 是独一无二的,将在单个封装中利用逻辑和存储器半导体。SK海力士指出,采用更新的技术对于未来的发展至关重要,鉴于HBM4所具有的潜在能力,它将为未来定下基调。

除此之外,SK海力士声称,它已经得到了人工智能市场主要科技公司的极大兴趣,包括苹果、Microsoft、Google Alphabet和NVIDIA。

SK海力士的副总裁声称,他们正在满足这些公司的定制工程要求,通过这一点,SK海力士的目标是保持在市场的领先地位。有趣的是,SK海力士还表达了创建其存储半导体的意图,这意味着该公司正在探索向未来扩张的选择。

根据计划,三星和SK海力士这两家公司都计划在 2025 年年中或年底之前发布各自的 HBM4 产品,以便及时将其集成到下一代产品中英伟达Robin和其他架构中。

编辑:芯智讯-浪客剑

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