存储芯片需求持续疲软，三星三季度利润或将继续大跌80%
10月11日消息，据路透社报导，受到全球经济不景气、通货膨胀、消费电子市场需求疲软等众多因素的持续影响，导致存储芯片持续供过于求，价格也是一路下跌，头部的存储芯片厂商业绩均出现了巨额的亏损。作为全球最大的存储芯片厂商，三星半导体业务在2023年一季度和二季度巨亏之后，预计三季度仍将巨亏3-4万亿韩元，拖累三星整体获利同比继续大跌80%。
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美国放松限制！三星及SK海力士在华晶圆厂获得“无限期豁免”！
10月9日，据韩国总统办公室通报，美国商务部已经同意向三星电子和SK海力士位于中国的晶圆厂提供“无限期豁免”，即美国供应商无需任何许可，就可向三星和SK还来在中国的晶圆厂供应半导体设备。
三星与SK海力士的存内计算布局
从计算机诞生起，计算机系统就是在冯·诺依曼架构下运行。在冯·诺伊曼架构中，计算与内存是分离的，计算单元从内存中读取数据，计算完成后再存回内存。特别是随着人工智能等对性能要求极高的场景爆发，传统的冯·诺依曼架构的短板开始凸显，例如功耗墙、性能墙、内存墙的问题。
传三星和SK海力士在华晶圆厂将获永久豁免，美系设备可继续出口
9月27日消息，据韩联社今日报导，美国将无限期延长三星和SK海力士在华晶圆厂的豁免权，允许他们的在华晶圆厂进口相关美系半导体设备。消息人士透露，美国商务部已与三星和SK海力士讨论了哪些设备能在中国使用等细节，最快本周就将会发布公告。
美国芯片法案“护栏规则”正式公布：限制接受补贴的厂商扩大在华半导体制造能力
近日，美国商务部（BIS）正式公布了实施《科学与芯片法案》（以下简称“芯片法案”）配套的巨额补贴发放的“国家安全护栏”的最终规则。该规则详细阐述了法规的两个核心条款：第一，禁止“芯片法案”资金接受者在10年内扩大在外国关注的材料半导体制造能力；其次，限制补贴接受者与相关外国实体进行某些联合研究或技术许可工作。
揭开华为Mate 60 Pro存储芯片的秘密
Techinsights对于华为Mate 60 Pro的拆解显示，其采用SK 海力士的DRAM内存和NAND Flash闪存芯片，型号分别为H583TD64M 和H25FTC0 。
二季度NAND Flash营收环比增长7.4%，三季度或将继续增长3%
9月13日消息，近日市场研究机构TrendForce最新公布的研究报告显示，今年第二季度NAND Flash市场需求仍低迷，供过于求态势延续，使NAND Flash第二季平均销售单价（ASP）继续下跌10%~15%，而NAND Flash位元的出货量则在第一季度较低基数的基础上环比增长19.9%，从而带动第二季度全球NAND Flash产业营收环比增长7.4%至93.38亿美元。
全球半导体供应链重塑，三星、SK海力士将受冲击
9月12日消息，据韩国媒体BusinessKorea报道，韩国国际经济政策研究所（Korea Institute for International Economic Policy，KIEP）11日公布的“全球半导体供应链重整研究”显示，在全球重塑半导体供应链的浪潮下，三星电子、SK海力士等在中国拥有工厂的厂商，可能是受影响最严重的。
SK海力士：针对华为Mate 60 Pro出现自家存储芯片展开紧急调查！
9月7日，近期华为新机Mate 60 Pro横空出世，在业界和市场造成极大轰动。经研调机构TechInsights拆解发现，其主控芯片及大部分芯片都是中国产，仅LPDDR5内存和NAND Flash闪存来自于SK海力士。对此，SK海力士发布声明称，已没有和华为有业务往来，决定针对此事展开调查。
传三星已获得英伟达HBM订单，最快10月供货
9月5日消息，据韩国媒体报导，三星电子已获得 英伟达（NVIDIA） 的高带宽内存 (HBM) 订单，最快10月供货。
传三星将于四季度向英伟达供应HBM3，股价大涨6%
9月2日消息，据花旗银行的最新报告显示，三星将在今年四季度开始向英伟达供应新一代HBM3高带宽内存。
二季度全球DRAM市场销售额止跌回升，环比大涨20.4%
8月24日消息，根据市场研究机构 TrendForce最新发布的报告显示，受益于AI服务器需求攀升，带动了HBM（高带宽内存）的出货增长，加上客户端 DDR5 的备货潮，使得三大DRAM原厂出货量均有成长。整个DRAM 产业的二季度营收约 114.3 亿美元，环比大涨20.4%，终结了连续三个季度的跌势。
