传三星西安NAND厂产能利用率已恢复至70%！
3月12日消息，据韩国媒体TheElec引述未具名消息人士报导称，三星电子正在提升其位于中国西安NAND Flash闪存厂的产能利用率，目前已恢复到了70%左右。
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三星和SK海力士已停止对外出售二手半导体设备？
3月12日消息，据英国《金融时报》报道，随着存储制程技术的快速更新换代，三星、SK海力士等存储芯片制造商经常需要替换旧的半导体设备。过去，这些被淘汰的设备往往会被转售至二手市场。然而，近期由于担心违反美国针对中俄的半导体出口管制规定，三星和SK海力士已变得极为谨慎，不再将旧半导体设备转售至外部市场，而是选择将其堆积在仓库中，以免触及美国敏感的神经。
西部数据拆分NAND Flash业务，新任CEO人选揭晓
据路透社报道，近日，西部数据宣布现任公司CEO David Goeckeler将出任独立后的NAND Flash新公司的CEO，而西部数据全球营运业务部行政副总裁Irving Tan将接任西部数据CEO。
HBM良率仍较低，产量堪忧？
3月4日消息，据韩国媒体DealSite报导，SK海力士、美光等HBM厂商正面临良率低迷的窘境，为了新的HBM3e能够通过英伟达（NVIDIA）下一代AI GPU的质量测试，彼此正在激烈竞争。
韩国两家芯片制造商遭遇黑客入侵！
据彭博社3月4日报道称，韩国国家情报院（NIS）于当地时间周一表示，朝鲜黑客组织已侵入至少两家韩国芯片制造商的服务器，导致了产品设计图纸和设施现场照片以及其他敏感数据的泄露，因为朝鲜希望逃避制裁并为武器计划生产自己的半导体。
SK海力士已完成HBM3e开发，预计将于今年3月量产
2月21日消息，据外媒Moneytoday报道，韩国存储芯片大厂SK海力士于1月中旬正式结束了HBM3E高带宽內存的开发工作，并且顺利完成了英伟达（NVIDIA）历时半年的性能评价，计划于今年3月开始大规模生产HBM3E，并在4月针对英伟达供应首批产品。
SK海力士已量产HBM3，并计划2026年大规模量产HBM4
2月3日消息，据《韩国商报》报道，在近日的“SEMICON 韩国 2024”展会上，SK海力士副总裁Chun-hwan Kim透露，该公司HBM3E内存已经量产，并计划在 2026 年开始大规模生产 HBM4。
SK海力士计划赴美建HBM工厂，助力AI芯片美国制造！
2月2日消息，据韩国媒体报导，两名知情人士透露，韩国存储芯片制造商SK海力士计划在美国印第安纳州建立先进封装工厂，生产高带宽內存（HBM）芯片，以便与英伟达（NVIDIA）的AI GPU进行整合，实现AI芯片的美国制造。显然，此举将大大推动美国拜登政府将更多人工智能（AI）芯片供应链导入美国本土的目标。
NTT携手英特尔、SK海力士开发下一代硅光子技术
1月30日消息，据日经新闻报道，日本电信运营商NTT与英特尔、SK海力士合作，研究可以大规模生产的下一代硅光子技术。
传铠侠与西部数据合并案重启，贝恩资本正与SK海力士进行交涉
1月29日消息，据日本共同通信社的最新报道，去年10月因间接出资的股东SK海力士反对而被迫中止的铠侠和西部数据之间的并购案或将重启，铠侠大股东贝恩资本（Bain Capital）正和SK海力士进行交涉。
