国产EUV光源系统样机亮相：国产化率达90%！
10月14日消息，在近日举行的第二十六届中国国际工业博览会上，朗道燧岩（上海）科技有限公司（简称“朗道燧岩”）首次公开展示了一台极紫外（EUV）光源系统样机。这是目前公开可见的国产进度最靠前的EUV光源样机，被业界视为高端光刻机的“心脏”。
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标签： EUV光刻机
中科院GAA晶体管突破：DUV光刻也能造3nm芯片？
近期，中国科学院微电子研究所宣布建立DUV光刻下的堆叠纳米片沟道GAA（全环绕栅极）CMOS集成先导工艺，完成了CMOS器件研发，通过集成工艺优化，实现了器件开关电流比突破50万倍，理论上为我国通过DUV光刻解锁3纳米及以下先进工艺打开了一个“理论窗口”。
ASML新园区动工：订单排到2028年，客户抢着买！
当地时间9月8日，全球光刻机龙头ASML在荷兰埃因霍温的“北智慧港工业园区”（Brainport Industries Campus North，简称BIC North）正式举行动土典礼，启动其在该区域的第二座大型工业园区建设。荷兰首相罗布·耶滕（Rob Jetten）与政府、客户、供应商及知识机构代表共同出席了仪式。
蔡司高管：中国EUV技术落后西方15年，但不能小看
9月3日消息，德国光学大厂蔡司公司（Zeiss）半导体部门负责人 Frank Rohmund 接受彭博电视访问时指出，中国在最尖端芯片制造设备研发方面，大约落后西方 15 年。UBS 分析师团队本周也发表报告称，推断中国至少要 10 年后，才有可能自行开发出可取代 ASML 顶尖极紫外光（EUV） 技术的方案。
为应对客户旺盛需求，ASML今年将在中国台湾招募超1000人
8月11日消息，台积电新竹与高雄的2nm晶圆厂已成功量产，台积电还调高了2026年资本支出，并宣布在台规划兴建13座先进制程晶圆厂与先进封装厂，如此庞大的扩产行动正推动对于相关半导体设备的巨大需求。作为全球光刻机龙头的ASML为了应对台积电的需求，也正在积极扩大在台湾的布局，今年更是将在台湾招聘超过1000名新员工。
马斯克力挺FEL-EUV技术，TeraFab有望导入？
近日，有网友在社交媒体平台X上爆料称，根据Terafab发布的信息推测，马斯克可能计划采用自由电子激光器（FEL）技术路线，直接挑战ASML现有的LPP-EUV光源方案，颠覆传统EUV光刻技术的垄断格局。
挑战ASML！这家美国企业要颠覆EUV光刻
在全球尖端半导体制造进入3纳米、2纳米甚至埃米时代之后，光刻机已经成为限制芯片继续微缩的核心瓶颈。当前，荷兰ASML凭借EUV（极紫外光）光刻技术长期占据先进制程制造的制高点，而一家成立不久的美国半导体初创企业Inversion Semiconductor正试图利用一项全新光刻技术向ASML发起挑战。
美方称EUV光刻机已流入中国大陆！ASML：绝无可能！
近日，美国商务部长卢特尼克在闭门会谈中直接向ASML高层提出EUV设备可能已进入中国的担忧，ASML坚决否认并启动危机应对，但美方官员声称握有敏感证据却拒绝公开。
三星豪掷67亿美元，狂买70台光刻机？
4月7日消息，韩国媒体Sedaily援引知情人士的消息报道称，三星电子已确定向光刻机大厂ASML和佳能订购了约70台光刻机，总金额高达10万亿韩元（约
SK海力士80亿美元下单ASML，锁定约30台EUV光刻机
3月24日，存储芯片大厂SK海力士（SK hynix）宣布，将在2027年12月31日前向荷兰ASML采购价值11.95万亿韩元（约79.7亿美元）的极紫外光（EUV）光刻机，旨在应对日益增长的内存芯片需求。该交易已作为正式披露文件提交给韩国监管机构，使成为近年来ASML客户公开的最大一笔EUV光刻机采购订单。
IBM携手泛林，剑指1nm以下制程
2026年3月10日，美国科技大厂IBM和半导体设备大厂泛林集团（Lam Research Corp.）宣布达成合作，旨在开发新的工艺和材料，以支持1nm以下逻辑芯片的微缩。基于双方长期以来成功的合作经验，这项新协议将重点联合开发新型材料、制造工艺和高数值孔径（High NA）极紫外（EUV）光刻工艺，以推进IBM的逻辑芯片微缩路线图。
ASML拟将EUV光源提升至1000W，晶圆产能可提升50%
2月24日消息，据路透社报道，荷兰光刻机大厂ASML在极紫外光（EUV）技术上取得了新的关键进展，计划将光源功率由600W提升至1000W。