标签: 存储芯片

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三星电子半导体部门及DRAM业务开发负责人均被替换

7月5日消息,据韩国媒体报道,三星电子近日任命了新的晶圆代工(Device Solution)部门负责人和DRAM业务开发负责人。外界认为,三星此举是为了“弥补今年上半年存储芯片业务表现低迷,强化晶圆代工业务的手段”。
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受芯片业务拖累,三星二季度利润恐将暴跌99%

6月26日消息,自去年以来,受全球存储芯片市场持续下滑影响,各大存储芯片厂商业绩纷纷大跌。目前存储芯片市场仍处于谷底,这也意味着各大存储芯片厂商二季度业绩仍将承压。分析师研判,二季度三星和 SK 海力士业绩恐难逃亏损。

传美国将给予三星、SK海力士等在华晶圆厂“永久豁免”

6月20日消息,据韩国媒体“The Korea Herald”报导,包括三星电子、SK海力士等韩国半导体制造商,皆已取得美国商务部的“经验证终端使用者”(Validated End-User,VEU)资格,获得VEU授权后,无需各个项目都要申请出口许可证,大大简化将美国半导体设备出口至他们在中国大陆的晶圆厂的程序。但据业界人士称,韩国半导体业者希望美国“无限期豁免”出口管制,或至少给予更长的宽限期。
美光警告:中国“限制令”将导致38.5亿美元营收受影响!

美光警告:在华销售受限,将导致38.5亿美元营收受影响!

6月19日消息,根据美国存储芯片大厂美光科技(Micron)于当地时间6月16日发布的文件称,在5月21日中国网络安全审查办公室对于美光产品做出“不予通过网络安全审查的结论”,并要求关键信息基础设施的运营者停止采购之后,对于美光在华业务的影响仍然不确定、且不稳定。

传三星第三季度起将对华城S3产线减产10%

5月26日消息,据韩国媒体Aju News 报道,三星计划自 2023 年第三季度开始,对韩国华城园区 S3 工厂减少至少 10% 的晶圆投片量。这也是三星此前宣布减产存储芯片计划的一部分。

三星研发4F² DRAM储存单元结构,面积最高可减少30%

5月26日消息,据韩国媒体The Elec报道,存储芯片大厂三星组建了一支专业团队,负责开发 4F² DRAM 储存单元结构。相较现有 6F² DRAM 储存单元结构,在不改变制程下,4F² DRAM 储存单元结构芯片面积最高可减少达 30%。
一季度DRAM市场营收环比下滑21.2%,已连续三个季度下滑

一季度DRAM市场营收环比下滑21.2%,已连续三个季度下滑

5月25日消息,据市场研究机构TrendForce报告,2023年一季度DRAM产业营收约96.6 亿美元,环比下滑21.2%,已续三个季度下跌。出货量方面仅美光有上升,企业存储厂商均衰退;平均销售单价方面,三星、SK海力士、美光这三大原厂均下跌。目前因供过于求尚未改善,价格依旧继续下跌,但是在原厂陆续减产后,DRAM下半年价格跌幅将有望逐季收窄。展望第二季,虽DRAM出货量增加,但因价格跌幅仍较大,预期营收增长幅度有限。
三星/SK海力士/美光等涉嫌操控DRAM芯片价格,在美国遭遇集体诉讼

三星、SK海力士不能填补美光在华市场?韩国政府:企业自行判断,无需政府指手画脚!

5月21日晚间,中国国家互联网信息办公室下设的“网络安全审查办公室”宣布,美光在华销售产品未通过中国的网络安全审查,要求关键信息基础设施的运营者停止采购。此事引发了业界极大的关注。对于外界担忧的韩国政府可能会应美国要求,敦促韩国存储芯片厂商不要填补美光在中国空出的市场一事,韩国方面也做出了回应。