抛弃“0”和“1”!剑桥大学开发出新型存储器原型,容量可达传统存储器的100倍

6月27日消息,据外媒 New Atlas 报导,近期剑桥大学的研究人员开发出了一种新型的存储器——电阻式开关存储器(resistive switching memory),在设计上效率相比传统存储器更高,它能够创建一系列的连续状态,而不是将信息以“0”或“1”来进行存储。

据该研究论坛第一作者 Markus Hellenbrand 博士介绍,电阻式开关存储器通过对部分类型的材料施加电流,不同电流会影响电阻的强弱,而电阻的细微差异将产生一系列可能的数据存储状态。基于连续范围的典型 USB 存储器能容纳 10 到 100 倍的数据。

抛弃“0”和“1”!剑桥大学开发出新型存储器原型,容量可达传统存储器的100倍

该团队开发出了一个电阻开关储存器原型,主要由一种叫“氧化铪”(hafnium oxide)的材料制成,这种材料在半导体产业中作为绝缘体使用。研究人员发现,当钡被扔进混合物时,会在堆叠的氧化铪(hafnium oxide)薄膜间形成垂直的“桥”。由于这些钡桥具有高度结构,电子能轻易穿过它们,并在桥与器件接触的地方产生一个能量屏障,并能控制这个屏障的高度,从而改变整个材料的电阻,反过来又对数据进行编码。

Hellenbrand 表示,这使材料可存在多种状态,不像只有两种状态的传统存储。令人兴奋的是,这些材料可以像大脑中的突触一样工作,像大脑能在同个地方储存和处理信息,这在 AI 和机器学习领域极具前景。

研究人员表示,氧化铪薄膜拥有一些优势能走向商业化。首先,这些结构能在相对较低的温度下自我组装,比其他设备需要的高温制造容易。此外,这些材料已经广泛使用在电脑芯片产业,更容易用于现有的制造技术。

编辑:芯智讯-浪客剑

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