抛弃“0”和“1”！剑桥大学开发出新型存储器原型，容量可达传统存储器的100倍

6月27日消息，据外媒 New Atlas 报导，近期剑桥大学的研究人员开发出了一种新型的存储器——电阻式开关存储器（resistive switching memory），在设计上效率相比传统存储器更高，它能够创建一系列的连续状态，而不是将信息以“0”或“1”来进行存储。

据该研究论坛第一作者 Markus Hellenbrand 博士介绍，电阻式开关存储器通过对部分类型的材料施加电流，不同电流会影响电阻的强弱，而电阻的细微差异将产生一系列可能的数据存储状态。基于连续范围的典型 USB 存储器能容纳 10 到 100 倍的数据。

该团队开发出了一个电阻开关储存器原型，主要由一种叫“氧化铪”（hafnium oxide）的材料制成，这种材料在半导体产业中作为绝缘体使用。研究人员发现，当钡被扔进混合物时，会在堆叠的氧化铪（hafnium oxide）薄膜间形成垂直的“桥”。由于这些钡桥具有高度结构，电子能轻易穿过它们，并在桥与器件接触的地方产生一个能量屏障，并能控制这个屏障的高度，从而改变整个材料的电阻，反过来又对数据进行编码。

Hellenbrand 表示，这使材料可存在多种状态，不像只有两种状态的传统存储。令人兴奋的是，这些材料可以像大脑中的突触一样工作，像大脑能在同个地方储存和处理信息，这在 AI 和机器学习领域极具前景。

研究人员表示，氧化铪薄膜拥有一些优势能走向商业化。首先，这些结构能在相对较低的温度下自我组装，比其他设备需要的高温制造容易。此外，这些材料已经广泛使用在电脑芯片产业，更容易用于现有的制造技术。

编辑：芯智讯-浪客剑