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三星延后美国新晶圆厂量产时间至2025年

12月26日消息,据韩国媒体Seoul Economic Daily报道,三星电子已将其位于德克萨斯州泰勒市(Taylor)的晶圆代工厂的量产时间推迟到了2025年,这也再次打击拜登政府急于增加美国国内半导体产能的雄心。
2nm芯片开发成本高达7.25亿美元,2nm晶圆制造成本将大涨50%

2nm芯片开发成本高达7.25亿美元,2nm晶圆制造成本将大涨50%

12月26日消息,据日经亚洲报道,随着先进制程的持续推进,每个新的制程节点的成本都在提升,并且提升的幅度越来越大。研究机构International Business Strategies(IBS)的分析认为,下一代的2nm制程的成本将会比目前的3nm制程上涨高达50%,最终导致 2nm 晶圆的价格将达到 3 万美元。
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台积电解析48纳米栅极间距的CFET技术

12月19日消息,在上周召开的国际电子器件会议(IEDM 2023)上,台积电发布了一篇标题《面向未来逻辑技术扩展的 48 纳米栅极间距的互补场效应晶体管 (CFET) 》的论文。这篇论文由大约 50 位不同的作者撰写,由 Sandy Liao 发表。
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台积电熊本晶圆厂即将完工,日本当地采购比例将达60%

12月18日消息,据日经新闻报道,台积电设立于日本熊本县的晶圆代工服务子公司JASM(Japan Advanced Semiconductor Manufacturing)社长堀田佑一在日本国际半导体展“SEMICON Japan 2023”上表示,台积电熊本第一座晶圆厂兴建工程顺利,即将完工,目标在2030年将日本当地的采购比重提高至60%。
又玩数字游戏?台积电第四代16nm要改名12nm?

传台积电高雄厂将于2026年量产,初期月产能约3万片

12月15日消息,尽管半导体景气杂音未完全解除,全球先进制程竞赛仍打得火热,晶圆代工龙头台积电新一代的2nm制程布局持续进行中,新竹宝山厂规划于2024年第二季开始机台搬入,2025年第四季进入量产;而高雄厂在正式完成组织编制后,近期也通知设备商自2025年第三季开始设备进厂,同年底试运行(pilot run),目标2026年量产。

三大因素推动先进封装产能荒将提前结束

12月11日消息,近日业界传闻显示,三星将加入提供HBM3产能,使得先进封装所需高带宽内存供给增加,加上台积电通过更改设备与部分委外以拉高先进封装产能,以及部分云端服务供应商(CSP)变更设计与调整订单等三大因素带动下,先进封装产能瓶颈有望提前在明年一季度缓解,比业界预期提早一个季度至半年。